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供功放对管2SC5196/2SA1939

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信息类型：库存信息　　所属类别：电子元件
地区城市：浙江省－\杭州市　　更新时间：2011-5-31 8:29:25
联系人：沈斌　　有效期限：2012-5-31 8:29:25
公司名称：杭州富阳奥星电子有限公司
电子信箱：hzdcean@163.com 　　联系电话：0571-63342995

详细描述

型号：2SC5196

NPN硅大功率晶体管

封装形式：TO-3PN

电特性：

极限值（除非另有规定 Tamb= 25℃）

参数名称	符号	额定值	单位
集电极—发射极电压	V_CE0	80	V
集电极—基极电压	V_CBO	80	V
发射极—基极电压	V_EBO	5	V
集电极电流	I_C	6	A
基极电流	I_B	0.6	A
耗散功率	Pc	60	W
结温	Tj	150	℃
贮存温度	Tstg	-55 ~ +150	℃

电参数（除非另有规定Tamb=25℃）

参数名称	符号	测试条件	规范值			单位
参数名称	符号	测试条件	最小	典型	最大	单位
集电极-基极截止电流	I_CB0	V_CB=80V, I_E=0	—	—	5.0	uA
发射极-基极截止电流	I_EB0	V_EB=5V,I_C=0	—	—	5.0	uA
集电极-发射极击穿电压	V_(BR)CEO	I_C=50mA, I_B=0A	80	—	—	V
直流电流增益	h_FE1	Vce=5V Ic=1A	55	—	160
直流电流增益	h_FE2	Vce=5V Ic=3A	35	75	—
集电极-发射极饱和电压	V_CE(sat)	I_C=5A, I_B=0.5A	—	0.45	2.0	V
基极-发射极饱和电压	V_BE	V_CE=5V, I_C=3A	—	0.92	1.5	V
特征频率	f_T	Vce=5V，Ic=1A	—	30	—	MHz
a: 脉冲测试

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