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<P> 三菱电机(Mitsubishi Electric)日前新推出第五代L1系列智能功率模块,其将硅片温度传感器设置在IGBT硅片正中央处,实现了更加精确迅速的硅片温度检测。该系列IPM采用全栅型CSTBT硅片技术,具有比L系列IPM更低的损耗以及更加优化的VCE与Eoff折衷曲线。L1系列智能功率模块主端子有针脚型和螺丝型两种形式,同样电流电压等级的L1系列IPM与L系列IPM的封装完全兼容。此外,L1系列IPM还首次开发了25A/1200V和50A/600V的小封装产品以满足客户节约成本的需求。</P> <P> 三菱电机早在1992年用IGBT作为功率开关器件集成最早的智能功率模块。其IPM不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起,而且还内藏有欠电压、过电流和过热等故障检测电路,并可将故障检测信号输出到控制单元。三菱电机的IPM具有体积小、开关速度快、功耗低、抗干扰能力强、无须防静电措施等优点,大大缩短了客户项目开发周期。</P> <P> 三菱电机机电(上海)有限公司半导体事业部长谷口丰聪先生说:“近年来,电力电子技术正朝大容量、高频化、模块化及智能化的方向迅速发展,以提高装置的功率密度,降低噪音,减小能耗和原材料消耗。三菱电机在这种趋势下,推出第五代智能功率模块L1系列IPM,协助客户提高产品性能和系统可靠性。”</P> <P> 三菱电机的IPM以其高可靠性尤其适合于电机驱动用的变频器和伺服驱动器等。</P> <P> 三菱电机将携同最新推出的第五代智能功率模块L1系列IPM,在3月18至20日于上海新国际博览中心举行的2008慕尼黑上海电子展(展位5102)上,为客户演示工业应用中的新型功率器件。三菱电机在展会期间,将现场滚动讲解各技术方案及其应用。</P>