您的位置:
首页
>>
管理中心
>>
行业资讯
>>修改新闻资讯信息
资讯类型:
行业要闻
企业动态
新品速递
解决方案
交流培训
嘉宾访谈
产业纵横
人物聚焦
展会动态
会展报告
本站动态
标 题:
*
页面广告:
不显示
显示
副 标 题:
关 键 字:
多个关键字请用“
/
”分隔,如:西门子/重大新闻
内容描述:
新闻来源:
链 接:
责任编辑:
标题图片:
无
/uploadfile/newspic/2008/200812/20081223090840150.jpg
当编辑区有插入图片时,将自动填充此下拉框
*
所属类别:
(不超过20项)
电源产品分类
:
UPS电源
稳压电源
EPS电源
变频电源
净化电源
特种电源
发电机组
开关电源(AC/DC)
逆变电源(DC/AC)
模块电源(DC/DC)
电源应用分类
:
通信电源
电力电源
车载电源
军工电源
航空航天电源
工控电源
PC电源
LED电源
电镀电源
焊接电源
加热电源
医疗电源
家电电源
便携式电源
充电机(器)
励磁电源
电源配套分类
:
功率器件
防雷浪涌
测试仪器
电磁兼容
电源IC
电池/蓄电池
电池检测
变压器
传感器
轴流风机
电子元件
连接器及端子
散热器
电解电容
PCB/辅助材料
新能源分类
:
太阳能(光伏发电)
风能发电
潮汐发电
水利发电
燃料电池
其他类
:
其他
静态页面:
生成静态页面
*
内 容:
<P align=center><EM>新型器件采用SO-8封装,具有3.3mΩ(在10V时)及5.5mΩ(在4.5V时)的优异性能</EM></P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2008/200812/20081223090840150.jpg" border=0></P> <P align=left> 2008年12月23日,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE 股市代号: VSH)日前宣布推出新型20-V和30-V p-通道 TrenchFET®功率MOSFET——Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装,具有±20-V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。</P> <P align=left> 现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24mΩ,而Vishay的Si7633DP具有3.3mΩ(在10V时)及5.5mΩ(在4.5V时)的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30-V器件低27%(在10V时)和28%(在4.5V时),比最接近的同类25-V SO-8器件分别低28%和15%。30-V Si7135DP的导通电阻为3.9mΩ(在10V时)和6.2mΩ(在4.5V时),比最接近的同类器件分别低13%(在10V时)和19.5%(在4.5V时)。</P> <P align=left> 这次推出的两款MOSFET均采用PowerPAK® SO-8封装,可容许比其它SO-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。</P> <P align=left> 这两款新型器件可用作适配器切换开关,用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关(在适配器/墙壁电源和电池电源间切换)一直处于导通状态,消耗电流。Si7633DP和Si7135DP的低导通电阻能耗低,节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。</P> <P align=left> Vishay还推出了采用SO-8封装的Si4459ADY 30-Vp-通道TrenchFET功率MOSFET。该器件具有5mΩ(在10V 时)和7.75mΩ(在4.5V 时)的导通电阻。此次推出的所有器件100%通过Rg和UIS认证,且不含卤素。</P> <P align=left> 目前,该新型Si7633DP和Si7135DP TrenchFET功率MOSFET可提供样品,并已实现量产,大宗订单的供货周期为10至12周。</P> <P align=left> 有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 <A href="http://www.vishay.com">www.vishay.com</A>。</P>