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<P align=center><STRONG><FONT style="FONT-FAMILY: 楷体_GB2312">高温电阻解决了消费类产品中的散热和成本问题</FONT></STRONG></P> <P align=left> 日前，上海–富士通微电子（上海）有限公司今日宣布推出两款新型消费类FCRAM（*1）存储器芯片-512 Mb（MB81EDS516545）和256 Mb（MB81EDS256545）。这两款芯片支持DDR SDRAM接口，是业界首推的将工作温度范围扩大至125°C的芯片。富士通微电子今日起开始提供这两款新型FCRAM产品。这两款低功耗存储器适用于数字电视、数字视频摄像机等消费类电子产品的系统级封装（SiP）。</P> <P> 如果SiP架构上的片上系统（SoC）整合了新型FCRAM芯片，当SiP工作速度提高导致工作温度上升时，存储器也不会对操作造成影响或限制，客户将从中受益。此外，它还具有其它优势，如可降低产品设计开发难度，节省电路板空间，并减少元器件数量（详细信息请参照下图）。</P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2009/200905/20090522144825563.jpg" border=0></P> <P> 目前，市场对消费类数字产品的性能、速度和开发成本的要求越来越高。为满足这些需求，就会更多地使用SiP，要求它同时整合带有SoC的存储器芯片。使用SiP可以减少元器件数量并节省电路板空间，进而能够降低系统成本。使用SiP还能简化高速存储器开发或采取降噪措施等设计。</P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2009/200905/20090522144253462.jpg" border=0><BR> <BR><FONT style="FONT-FAMILY: 楷体_GB2312" color=#0000ff>图1: 存储器SiP上的散热设计方案比较：<BR style="FONT-FAMILY: ">显示使用新型FCRAM的优越性</FONT></P> <P> 如图1所示，迄今为止，使用传统的存储器，SiP发挥受限，而使用新型FCRAM产品就可以解决这一问题。图1(a)介绍的SiP架构上使用的高性能SoC功耗较高，产生的热量可使SiP温度上升到105℃。因为SoC的最高温度额定为125℃，所以操作能够正常进行，但使用传统的存储器仅可在最高为95℃的温度环境下运行，因此不能使用这一SiP架构。</P> <P> 要在SiP上使用传统的存储器，另外一种方法是添加类似散热器等散热器件。如图1(b)所示，这一方案可使SiP温度降低到90℃，器件可以运行，但是增加了成本和电路板占用面积。因此，许多一直在研究SiP的客户希望扩大存储器的工作温度范围。</P> <P> 富士通微电子正是应对这一需求而开发出了最高工作温度为125℃的512 Mb和256 Mb消费类FCRAM产品。如1(c)所示，使用额定为125℃的FCRAM，即使整合一颗高功耗的SoC，SiP也能运行良好，无需添加散热器。这就解决了使用额定为95 ℃的传统存储器而需要采取散热措施而引发的成本增加问题。</P> <P> 而且，即使在125℃的环境下运行，这些新型FCRAM产品也可以提供传统DDR SDRAM存储器两倍的数据传输率，同时还能保持低功耗。事实上，与传统的DDR2 SDRAM存储器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗达50%。所以，这些新型FCRAM可以减少消费类电子产品的存储器的二氧化碳排放达50%（详细信息请参照下图）。</P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2009/200905/20090522144845154.jpg" border=0></P> <P> 富士通微电子将继续为SiP开发具备必要性能和功能的产品，从而为消费类电子产品提供价值和成本最优的解决方案。</P> <P> <STRONG>样片提供</STRONG></P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2009/200905/20090522144340554.jpg" border=0></P> <P> <STRONG>销售目标</STRONG></P> <P> 每月共销售一百万片</P> <P> <STRONG>产品特性</STRONG></P> <P> <STRONG>1. 业界首推在125 ℃下运行的芯片</STRONG></P> <P> 这些新型FCRAM最高工作温度为125℃，与传统SDRAM存储器最高85℃或者95℃的温度规格相比，提高了系统内的允许功耗。因此，可以实现SiP解决方案，而这在以前是不可能的，例如：高性能数字消费类电子产品所需的高功耗SoC若整合了存储器会导致器件过热。而且该产品可以使用低成本封装，无需高温规格。</P> <P> <STRONG>2. 低功耗</STRONG></P> <P> 通过将总线宽扩大至64 bit、减少工作频率和使用终端电阻（*2），与两个使用16 bit总线宽的传统DDR2 SDRAM存储器芯片相比，新型FCRAM可降低功耗最高达50%。这些新型FCRAM可以减少消费类电子产品的存储器的二氧化碳排放达50%。</P> <P><BR> <STRONG>3. 高速数据带宽</STRONG></P> <P> 工作温度是125℃时，新型FCRAM通过使用64bit总线宽并在最高工作频率为200MHz运行时，可以提供3.2 GB/秒的数据传输率，这是传统的DDR2 SDRAM速度的两倍。若工作温度不高于105℃（≤ 105℃），在216 MHz的工作频率下运行时，产品的数据传输率将增加到3.46 GB/秒。</P> <P><BR> <STRONG> 附件</STRONG></P> <P> 512 Mb FCRAM和256 Mb FCRAM芯片的主要规格</P> <P> <STRONG>术语和注释</STRONG></P> <P> *1. 消费类FCRAM：FCRAM（快速循环随机存储器）是富士通微电子具有自主知识产权的RAM内核系统，以高速度和低功耗出名。消费类FCRAM是指使用行业标准低功耗SDRAM接口的FCRAM内核，最适宜于消费类电子产品。</P> <P> *2. 终端电阻：终端电阻是指在电线或信号终端跨接的电阻，用于消除信号反射带来的干扰，但是其功耗较高。DDR2 SDRAM的终端电阻嵌入到芯片（ODT：片内终结）。</P> <P><BR> 更多信息，请浏览：富士通微电子株式会社FCRAM产品网站<A href="http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/">http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/</A></P> <P> 附件</P> <P> <STRONG>512 Mb FCRAM-MB81EDS516545的主要规格</STRONG></P> <P align=center><STRONG><IMG src="/uploadfile/newspic/2009/200905/20090522144705932.jpg" border=0></STRONG></P> <P><STRONG> 256 Mb FCRAM-MB81EDS256545的主要规格</STRONG></P> <P align=center><STRONG><IMG src="/uploadfile/newspic/2009/200905/20090522144715689.jpg" border=0></STRONG></P> <P> <STRONG>关于富士通微电子（上海）有限公司</STRONG></P> <P> <FONT style="FONT-FAMILY: 楷体_GB2312" color=#666699>富士通微电子（上海）有限公司是富士通在中国的半导体业务总部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大连等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售、市场及现场技术支持服务。</FONT></P> <P><FONT style="FONT-FAMILY: 楷体_GB2312" color=#666699> 富士通微电子（上海）有限公司的产品包括专用集成电路（ASIC）、单片机（MCU）、专用标准产品（ASSP）/片上系统（SoC）和系统存储芯片,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并应用于广泛领域。在技术支持方面，分布于上海、香港及成都的IC设计中心和解决方案设计中心,通过与客户、设计伙伴、研发资源及其他零部件供应商的沟通、协调，共同开发完整的解决方案，从而形成一个包括中国在内的完整的亚太地区设计、开发及技术支持网络。欲了解更多信息，请访问网站：</FONT><A href="http://cn.fujitsu.com/fmc"><FONT style="FONT-FAMILY: 楷体_GB2312" color=#666699>http://cn.fujitsu.com/fmc</FONT></A></P> <P> <FONT style="FONT-FAMILY: 楷体_GB2312">文中提及的公司名称和产品名称是其所有者的商标或者注册商标。该新闻稿中的信息在发布时是准确无误的，可能随时发生变化，恕不先行通知</FONT>。■</P>