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<P> 相对于普通结构的红光LED芯片,高亮度红光<STRONG><A href="http://www.cps800.com/news/20313.htm" target=_blank>芯片</A></STRONG>则是一种亮度高、可靠性好的发光器件,它采用键合工艺实现衬底置换,用到热性能好的硅衬底(硅的热导率约为1.5W/K.cm)代替砷化镓衬底(砷化镓的热导率约为0.8W/K.cm),芯片具有更低热阻值,散热性能更好,有利于提高可靠性。另外,在P-GaP上镀反射层,比普通红光外延层中生长DBR反射镜出光效率更高。为了克服光在芯片与封装材料界面处的全反射而降低取光效率,还在芯片制作一些表面纹理结构。相同尺寸相同波长的芯片,20mA电流下,两者光强相差两倍以上,如图。</P> <P align=center><A href="http://www.cps800.com/news/20313.htm"><IMG src="/uploadfile/newspic/2009/200907/20090731090753409.jpg" border=0 target="_blank"></A><BR><FONT style="FONT-FAMILY: 楷体_GB2312" color=#808080>图-1 高亮度红光芯片剖面示意图</FONT></P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2009/200907/20090731090801885.jpg" border=0><BR><FONT style="FONT-FAMILY: 楷体_GB2312" color=#808080>图-2 高亮度红光芯片</FONT></P> <P align=left><BR> 高亮度红光LED芯片因为本身发光效率高、可靠性好,主要应用于对亮度、可靠性要求较高的场合,比如幕墙屏幕、液晶显示屏<STRONG><A href="http://www.cps800.com/news/20126.htm" target=_blank>LED背光源</A></STRONG>等领域。之前由于普通红光LED芯片亮度不够,在由红(R)绿(G)蓝(B)组成的一个全色模组中通常的构成是一颗蓝光芯片、一颗绿光芯片、两颗普通红光芯片。现在若使用高亮度红光芯片则一颗就可满足要求, <BR>而且可靠性高,维护成本明显降低。</P> <P> 目前市场上较多的是普通结构的红光芯片,价格很低,利润空间很小。高亮度红光芯片有较大的市场需求,由于在制造技术上有一定的难度,目前只有少数几家公司能批量供货,产品的性价比较高。</P> <P> 2008年底士兰明芯科技有限公司开始开发高亮度红光芯片,技术团队不断调整试验方案、优化工艺参数,使不同热膨胀系数材料之间的金属键合工艺窗口更宽,键合良率和可靠性得到保障。</P> <P> 金属反光特性一直是影响红光芯片亮度的一个主要因素,通过大量试验,已经彻底解决了这一问题。</P> <P> 发光二极管的电极合金条件不合适会导致金丝键合时电极脱落,对于高亮度红光芯片而言,电极合金的工艺要求更高。为了解决好电极和红光外延层粘附性问题,士兰明芯的技术团队在表面处理、合金层结构、合金条件做了大量试验和重复验证工作,克服了电极容易脱落这一难题。</P> <P> 士兰明芯高亮度红光芯片的各项参数指标已达到先进的水平,今年7月份进入批量生产。现在生产的芯片尺寸规格有280um×280um、350um×350um两种。■</P>