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<P target="_blank"><A href="http://www.cps800.com/news/1419.htm"></A> <STRONG><A href="http://www.cps800.com/news/21025.htm" target=_blank>飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)</A></STRONG> 全新的<STRONG>升压开关</STRONG>产品<STRONG>FDFME3N311ZT</STRONG>,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC),以提升<STRONG><A href="http://www.cps800.com/news/20519.htm" target=_blank>DC-DC</A></STRONG>升压设计的效率。</P> <P><IMG alt=飞兆半导体全新升压开关FDFME3N311ZT提升DC-DC设计效率 src="http://www.esmchina.com/IMAGES/20091104_1.5_2.2.1_2.7.2_3.7.2_04.jpg" align=left border=0> FDFME3N311ZT 采用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术,通过仔细优化动态性能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小,可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。该器件在紧凑 (1.6mm×1.6mm) 和低侧高 (0.55mm) MicroFET 薄型封装中,集成了两个分立器件,不但能够满足紧凑型DC-DC升压设计的需求,而且相比先前的升压开关产品节省36% 的电路板空间。</P> <P> FDFME3N311ZT提供30V的击穿电压,可为手机等应用驱动多达7个或8个白光LED(实际数字取决于所选择的LED和设计保护带)。白光LED通常用作手机等移动设备的显示器的背光照明,一般以串联方式连接,以确保每个LED具有相同的正向电流和亮度。以每个LED的正向电压约为3-3.5V计算,使用这款升压开关将有助于逐步提高现有的电池升压输出电压(大多数情况下为单一锂电池)。</P> <P> 这款升压开关是飞兆半导体多元化的MOSFET产品系列的最新成员,该产品系列具有宽泛的击穿电压 (20V-1000V) 范围和先进的封装技术等特点,能够解决现时设计所面对的各种复杂的功率和空间难题。■</P>