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Diodes公司推出两款N沟道MOSFET ZXMN15A27K及ZXMN20B28K,为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。
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<P> <STRONG><A href="http://www.cps800.com/news/21344.htm" target=_blank>Diodes公司</A></STRONG>推出两款<STRONG><A href="http://www.cps800.com/news/12138.htm" target=_blank>N沟道MOSFET</A></STRONG> <STRONG>ZXMN15A27K</STRONG>及<STRONG>ZXMN20B28K</STRONG>,为网络电话 (<STRONG><A href="http://www.cps800.com/news/18483.htm" target=_blank>VoIP</A></STRONG>) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。</P> <P> ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封装,经过特别设计,能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)<STRONG><A href="http://www.cps800.com/news/21245.htm" target=_blank>DC/DC转换器</A></STRONG>对<STRONG><A href="http://www.cps800.com/news/20886.htm" target=_blank>变压器</A></STRONG>中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。<BR> <BR> 两款新器件的击穿电压(BVDSS)分别为150V及200V,能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式,不需要额外的保护电路。配合正确选择的变压器,这些MOSFET就能驱动150V以上的线路电压,并以6公里以上的环路长度提供多种用户线路。<BR> <BR> 这些MOSFET的低输入电容使其易于以很少或没有缓冲直接从SLIC控制IC进行驱动,进一步简化了电路设计,减少了元件数量和成本。ZXMN20B28K还可在逻辑电平实现低栅极驱动。■</P>