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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)
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<P> 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。 </P> <P align=center><IMG style="WIDTH: 405px; HEIGHT: 327px" height=380 src="/uploadfile/newspic/2010/201001/20100126092317227.jpg" width=569 border=0></P> <P> 新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的电压等级,在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.190Ω。低RDS(on)意味着更低的导通损耗,从而在液晶电视、个人电脑、服务器、开关电源和通信系统等各种电子系统中减少功率因数矫正(PFC)和脉宽调制(PWM)应用的能量损耗。 </P> <P> 除低导通电阻之外,这些器件的栅电荷只有98nc。栅电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值(FOM),这些器件的FOM可低至18.62Ω*nC。 </P> <P> 为可靠起见,这些器件均进行了完整的雪崩测试,具有很高的重复(EAR)雪崩能量。新的MOSFET可处理65A的峰值电流和22A的连续电流。这四款器件均具有有效输出容值标准。 </P> <P> 与前一代600V功率MOSFET相比,新器件改善了跨导和反向恢复特性。这些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。 </P> <P> 新款Super Junction FET MOSFET现可提供样品,将于2010年第一季度实现量产,大宗订货的供货周期为八周至十周。■</P>