您的位置:
首页
>>
管理中心
>>
行业资讯
>>修改新闻资讯信息
资讯类型:
行业要闻
企业动态
新品速递
解决方案
交流培训
嘉宾访谈
产业纵横
人物聚焦
展会动态
会展报告
本站动态
标 题:
*
页面广告:
不显示
显示
副 标 题:
关 键 字:
多个关键字请用“
/
”分隔,如:西门子/重大新闻
内容描述:
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω
新闻来源:
链 接:
责任编辑:
标题图片:
无
/uploadfile/newspic/2010/201007/20100714090744156.jpg
/uploadfile/newspic/2010/201007/20100714091136789.jpg
当编辑区有插入图片时,将自动填充此下拉框
*
所属类别:
(不超过20项)
电源产品分类
:
UPS电源
稳压电源
EPS电源
变频电源
净化电源
特种电源
发电机组
开关电源(AC/DC)
逆变电源(DC/AC)
模块电源(DC/DC)
电源应用分类
:
通信电源
电力电源
车载电源
军工电源
航空航天电源
工控电源
PC电源
LED电源
电镀电源
焊接电源
加热电源
医疗电源
家电电源
便携式电源
充电机(器)
励磁电源
电源配套分类
:
功率器件
防雷浪涌
测试仪器
电磁兼容
电源IC
电池/蓄电池
电池检测
变压器
传感器
轴流风机
电子元件
连接器及端子
散热器
电解电容
PCB/辅助材料
新能源分类
:
太阳能(光伏发电)
风能发电
潮汐发电
水利发电
燃料电池
其他类
:
其他
静态页面:
生成静态页面
*
内 容:
<P> 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。 这三款器件的低导通电阻意味着更低的功率损耗,从而在各种应用的功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和LLC拓扑中节约能源,这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机和液晶电视,以及开放式电源。 </P> <P align=center><IMG alt="三款新型500V N沟道功率MOSFET" src="/uploadfile/newspic/2010/201007/20100714091136789.jpg" border=0></P> <P> 除了具有<A href="http://www.cps800.com/news/22393.htm">低导通电阻</A>,这三款器件的栅极电荷为48nC。栅极电荷与导通电阻的乘积低至26.64Ω-nC,该数值是描述用于功率转换应用中MOSFET性能的优质系数(FOM)。 </P> <P> 新款N沟道MOSFET采用Vishay Planar Cell技术生产,这项技术为减小通态电阻进行了定制处理,可承受在雪崩和整流模式中的高能量脉冲。与前一代MOSFET相比,SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3改善了开关速度和损耗。 </P> <P> 这些器件符合RoHS指令2002/95/EC,并经过了完备的雪崩测试,以实现可靠的工作。新款<A href="http://www.cps800.com/news/23109.htm">功率MOSFET</A>现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周到十周。■</P>