您的位置:
首页
>>
管理中心
>>
行业资讯
>>修改新闻资讯信息
资讯类型:
行业要闻
企业动态
新品速递
解决方案
交流培训
嘉宾访谈
产业纵横
人物聚焦
展会动态
会展报告
本站动态
标 题:
*
页面广告:
不显示
显示
副 标 题:
关 键 字:
多个关键字请用“
/
”分隔,如:西门子/重大新闻
内容描述:
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
新闻来源:
链 接:
责任编辑:
标题图片:
无
/uploadfile/newspic/20110817151620893.jpg
当编辑区有插入图片时,将自动填充此下拉框
*
所属类别:
(不超过20项)
电源产品分类
:
UPS电源
稳压电源
EPS电源
变频电源
净化电源
特种电源
发电机组
开关电源(AC/DC)
逆变电源(DC/AC)
模块电源(DC/DC)
电源应用分类
:
通信电源
电力电源
车载电源
军工电源
航空航天电源
工控电源
PC电源
LED电源
电镀电源
焊接电源
加热电源
医疗电源
家电电源
便携式电源
充电机(器)
励磁电源
电源配套分类
:
功率器件
防雷浪涌
测试仪器
电磁兼容
电源IC
电池/蓄电池
电池检测
变压器
传感器
轴流风机
电子元件
连接器及端子
散热器
电解电容
PCB/辅助材料
新能源分类
:
太阳能(光伏发电)
风能发电
潮汐发电
水利发电
燃料电池
其他类
:
其他
静态页面:
生成静态页面
*
内 容:
<P> 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®<A href="http://www.cps800.com/news/2011-7/2011729171726.html" target=_blank><STRONG>功率MOSFET</STRONG></A>---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。 </P> <P align=center><IMG alt="新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDK" src="/uploadfile/newspic/20110817151620893.jpg" border=0></P> <P align=left> 新款SiB437EDKT可用做智能手机、MP3播放器、便携式多媒体播放器、数码相机、电子书和平板电脑等手持设备中的负载开关。器件的热增强Thin PowerPAK® SC-75封装占位面积小,超薄的高度只有0.65mm,能够实现更小、更薄的终端产品,而低导通电阻意味着更低的传导损耗,节约能源,并在这些设备中最大化电池的运行时间。 </P> <P align=left> MOSFET可在1.5V和1.2V电压下导通,能够搭配手持设备中常见的更低电压的栅极驱动和更低的总线电压,从而省去了电平转换电路的空间和成本。在手持设备中电池电量较低,并且要求消耗尽可能少的能量时,这种MOSFET尤其有用。 </P> <P align=left> SiB437EDKT在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有34mΩ、63mΩ、84mΩ和180mΩ的超低<A href="http://www.cps800.com/news/2011-3/2011314144857.html" target=_blank><STRONG>导通电阻</STRONG></A>。同样采用1.6mmx1.6mm占位、高度小于0.8mm的最接近的P沟道器件在4.5V、1.8V和1.5V下的导通电阻为37mΩ、65mΩ和100mΩ,这些数值分别比SiB437EDKT高8%、5%和16%。 </P> <P align=left> SiB437EDKT经过了100%的Rg测试,符合IEC 61249-2-21的无卤素规定,符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保护为2000V。<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>