您的位置:
首页
>>
管理中心
>>
行业资讯
>>修改新闻资讯信息
资讯类型:
行业要闻
企业动态
新品速递
解决方案
交流培训
嘉宾访谈
产业纵横
人物聚焦
展会动态
会展报告
本站动态
标 题:
*
页面广告:
不显示
显示
副 标 题:
关 键 字:
多个关键字请用“
/
”分隔,如:西门子/重大新闻
内容描述:
Si8802DB和Si8805EDB可用于手持设备中的负载切换,包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和移动计算设备。在这些应用中,MOSFET的0.357mm超薄身材能够节约宝贵的电路板空间,实现更小、更薄的移动产品。
新闻来源:
链 接:
责任编辑:
标题图片:
无
/uploadfile/newspic/20111020110039363.jpg
当编辑区有插入图片时,将自动填充此下拉框
*
所属类别:
(不超过20项)
电源产品分类
:
UPS电源
稳压电源
EPS电源
变频电源
净化电源
特种电源
发电机组
开关电源(AC/DC)
逆变电源(DC/AC)
模块电源(DC/DC)
电源应用分类
:
通信电源
电力电源
车载电源
军工电源
航空航天电源
工控电源
PC电源
LED电源
电镀电源
焊接电源
加热电源
医疗电源
家电电源
便携式电源
充电机(器)
励磁电源
电源配套分类
:
功率器件
防雷浪涌
测试仪器
电磁兼容
电源IC
电池/蓄电池
电池检测
变压器
传感器
轴流风机
电子元件
连接器及端子
散热器
电解电容
PCB/辅助材料
新能源分类
:
太阳能(光伏发电)
风能发电
潮汐发电
水利发电
燃料电池
其他类
:
其他
静态页面:
生成静态页面
*
内 容:
<P> 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%,而<A href="http://www.cps800.com/news/2011-3/2011314144857.html" target=_blank><STRONG>导通电阻</STRONG></A>则与之相当甚至更低。 </P> <P align=center><IMG alt="Vishay Siliconix推出最小芯片封装的N和P沟道功率MOSFET" src="/uploadfile/newspic/20111020110039363.jpg" border=0></P> <P> Si8802DB和Si8805EDB可用于手持设备中的负载切换,包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和移动计算设备。在这些应用中,MOSFET的0.357mm超薄身材能够节约宝贵的电路板空间,实现更小、更薄的移动产品。 </P> <P> 今天发布的器件在1.5V下具有低导通电阻,而且在栅极驱动仅有1.2V的情况下也能导通。这样MOSFET能够使用手持设备中常见的低压电源轨,省却额外的电阻和用于P沟道负载切换的电压源,从而简化设计,并能在N沟道负载切换中使两次充电之间的<A href="http://www.cps800.com/news/25873.htm" target=_blank><STRONG>电池</STRONG></A>工作时间更长。 </P> <P> N沟道Si8802DB在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的导通电阻为54mΩ、60mΩ、68mΩ、86mΩ和135mΩ。器件封装的外形尺寸比仅次于它的最小器件小36%,在1.8V和1.5V下的导通电阻分别低5.5%和7.5%。 </P> <P> P沟道Si8805EDB在4.5V、2.5V、1.5V和1.2V下的导通电阻为68mΩ、88mΩ、155mΩ和290mΩ。Si8805EDB所占的<A href="http://www.cps800.com/news/2011-3/201131516462.html" target=_blank><STRONG>电路板</STRONG></A>空间比仅次于它的最小P沟道器件少29%,在4.5V、2.5V下的导通电阻分别低17%和8%。Si8802DB和Si8805EDB的更低导通电阻能够将负载切换过程中的电压降最小化,防止出现有害的欠压闭锁。器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定,及RoHS指令2002/95/EC。Si8805EDB的ESD保护为1500V。<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>