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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用,这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。
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<P> 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道<A href="http://www.cps800.com/news/25968.htm" target=_blank><STRONG>功率MOSFET</STRONG></A>通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用,这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。</P> <P align=center><IMG alt="Vishay Siliconix推出通过JAN认证的N沟道功率MOSFET" src="/uploadfile/newspic/20111031151039658.jpg" border=0> </P> <P> Vishay Siliconix的工厂位于加州Santa Clara,已被DSCC重新认证,可采用MIL-PRF-19500标准对所生产的MOSFET进行筛选。在用于军工和重要航空应用的系统中,MIL-PRF-19500标准树立了对分立器件的性能、质量和可靠性要求的准绳。 </P> <P> 今天推出的器件适用于TTL/CMOS直接逻辑电平接口,继电器、螺线管、灯、电锤、显示器、存储器和晶体管的驱动,以及电池供电系统和以及固态继电器。MOSFET的密封TO-205AD封装可承受军工和航天应用中更高的温度。 </P> <P> 60V 2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻低至1.3Ω,栅源阈值电压为1.7V,开关速度为8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻为3.6Ω,栅源阈值电压为1.6V,开关速度为6ns。两款器件均具有低输入和输出泄漏,以及低至35pF的典型输入电容。 </P> <P> 2N6660ANTXV和2N6661ANTXV按照MIL-PRF-19500的各项标准进行了100%的内部视觉(在封盖前)检验。除减少2个步骤(MIL-STD-750标准的视觉检验和加工)以降低成本以外,Vishay还对这些产品进行了Group A、Group B、Group C和Group E检测,以进一步提高产品的可靠性。<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>