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Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管,有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装,以供顾客选择。
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<P> Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关<A href="http://www.cps800.com/news/26273.htm" target=_blank><STRONG>二极管</STRONG></A>,有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装,以供顾客选择。 </P> <P align=center><IMG alt="Diodes推出微型高速开关二极管 有助减小电路板尺寸" src="/uploadfile/newspic/20120323102547571.jpg" border=0></P> <P> 这些单二极管、双二极管和双双(串联及共阴极)二极管配置能发挥多种功能,包括交流信号整流、数据线保护、反向电池保护和直流-直流转换,适用于对轻巧和纤薄产品设计有较高要求的手机、平板电脑和笔记本电脑。 </P> <P> 该开关二极管系列的总电容性能从2pF到最高4pF,确保把高带宽输入信号的失真或衰减情况减至最少。此外,这些二极管还具备高达85V的击穿电压,可从容应对最强烈的开关电路瞬态峰值。<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>