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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2012年的“Super 12”特色产品。Vishay的Super 12集中展示了该公司在半导体和无源器件方面的卓越能力，为设计工程师提供了实现业界领先性能规格的捷径，以及Vishay广泛产品组合的典型代表。
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<P> 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2012年的“Super 12”特色产品。Vishay的Super 12集中展示了该公司在半导体和无源器件方面的卓越能力，为设计工程师提供了实现业界领先性能规格的捷径，以及Vishay广泛产品组合的典型代表。 </P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/20120410105220187.jpg" border=0></P> <P> <STRONG>2012年的Super 12产品是：</STRONG> </P> <P> <STRONG>MKP1848S薄膜电容器</STRONG>—用于DC-link应用的薄膜镀金属直流聚丙烯薄膜电容器，具有2µF～100µF的业内最宽CV范围，电压等级500VDC～1,000VDC，以及12mm、15mm、18mm和24mm的小尺寸。 </P> <P> <STRONG>VCUT05D1-SD0 BiSy单线ESD保护二极管</STRONG>—采用新型超小尺寸的CLP0603硅封装，二极管具有10pF的低电容，可在便携式电子产品中保护信号和数据线免受瞬态电压信号的损害。 </P> <P> <STRONG>34 THE非接触式多匝传感器</STRONG>—34 THE是业界首款采用非接触式技术的多匝传感器，采用伺服安装时具有5千万次循环的超长寿命，采用套管安装时具有1千万次循环的寿命，可测量3600°以内的任何电角度。 </P> <P> <STRONG>45V Trench MOS势垒肖特基TMBS®单片整流器</STRONG>—具有10A～40A的宽电流范围，以及在20A电流下低至0.51V的正向压降。适合在太阳能电池接线盒中用作旁路二极管。 </P> <P> <STRONG>MPM配对电阻网络</STRONG>—具有严格的比例容差和紧密的TCR跟踪，分压比为1:1～100:1，可用于过程控制、测试和测量、仪表、信号调理和数据采集应用。 </P> <P> <STRONG>CNY6系列 CAT IV光耦</STRONG>—业内首款采用表面贴装封装和适用于太阳能和风机装置的器件。光耦可保护人员和设备避免受到伤害，或是避免被12000V的高电压尖峰或瞬态电压，以及反复出现的1450V的峰值电压所击伤，同时还能让数据从高压侧传送到低压的监控设备。 </P> <P> <STRONG>IHLP® 3232系列小尺寸、高电流电感器</STRONG>—高性能、节省空间和能源的解决方案，用于移动设备、笔记本电脑、桌面电脑、服务器、图形卡、便携式游戏机、个人导航系统和其他产品中的电压稳压模块(VRM)和DC/DC转换器应用。</P> <P> <STRONG>SiHG73N60E E系列600 V高压MOSFET</STRONG>—在10V栅极驱动下具有39mΩ的导通电阻和最大362nC的超低栅极电荷，可在开关电压、PFC、照明和工业应用中实现出众的性能。 </P> <P> <STRONG>TM8 MicroTan ®钽电容器</STRONG>—用于严格需要高可靠性医疗和军工航天应用，小外形尺寸的TM8具有非常低的直流泄漏电流和可定制的筛选选项，包括威布尔失效率分级。 </P> <P> <STRONG>SiSA04DN 30V MOSFET</STRONG>—TrenchFET® Gen IV器件采用热增强型PowerPAK® 1212-8封装，具有低至2.5mΩ的导通电阻和22.5nC的栅极电荷，使DC/DC转换的优值系数(FOM)达到56。 </P> <P> <STRONG>TNPU e3高精度薄膜片式电阻</STRONG>—兼具可靠性和高等级的精度，容差低至±0.05%，TCR低至±5 ppm/K，可用于放大器、精密电压分压器，以及工业、汽车、航空、医疗和电信设备中的控制单元。 </P> <P> <STRONG>SiP12107/8可扩展降压稳压器</STRONG>—高频电流模式恒定导通时间(CM-COT)同步降压稳压器带有集成的高边和低边功率MOSFET。稳压器的功率级可以以4MHz开关频率输出3A或5A的连续电流，用于计算、消费电子、电信和工业应用。<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>