您的位置:
首页
>>
管理中心
>>
行业资讯
>>修改新闻资讯信息
资讯类型:
行业要闻
企业动态
新品速递
解决方案
交流培训
嘉宾访谈
产业纵横
人物聚焦
展会动态
会展报告
本站动态
标 题:
*
页面广告:
不显示
显示
副 标 题:
关 键 字:
多个关键字请用“
/
”分隔,如:西门子/重大新闻
内容描述:
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计,在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ,Miller电荷Qgd低至1.8nC
新闻来源:
链 接:
责任编辑:
标题图片:
无
/uploadfile/newspic/20120508090941591.jpg
/uploadfile/newspic/20120508091055595.jpg
当编辑区有插入图片时,将自动填充此下拉框
*
所属类别:
(不超过20项)
电源产品分类
:
UPS电源
稳压电源
EPS电源
变频电源
净化电源
特种电源
发电机组
开关电源(AC/DC)
逆变电源(DC/AC)
模块电源(DC/DC)
电源应用分类
:
通信电源
电力电源
车载电源
军工电源
航空航天电源
工控电源
PC电源
LED电源
电镀电源
焊接电源
加热电源
医疗电源
家电电源
便携式电源
充电机(器)
励磁电源
电源配套分类
:
功率器件
防雷浪涌
测试仪器
电磁兼容
电源IC
电池/蓄电池
电池检测
变压器
传感器
轴流风机
电子元件
连接器及端子
散热器
电解电容
PCB/辅助材料
新能源分类
:
太阳能(光伏发电)
风能发电
潮汐发电
水利发电
燃料电池
其他类
:
其他
静态页面:
生成静态页面
*
内 容:
<P> 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计,在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ,Miller电荷Qgd低至1.8nC,采用PowerPAK® SO-8和1212-8封装。 </P> <P> 新款Vishay Siliconix TrenchFET IV在硅设计、晶圆加工和器件封装上采用了多项技术改进措施,为功率电子系统设计者提供了诸多好处。与前一代器件相比,SiRA00DP的导通电阻与面积乘积减小了60%,在10V电压下实现了1.0mΩ的极低RDS(on),4.5V下1.35mΩ的导通电阻达到业内最佳水准。对于设计者而言,MOSFET的低导通电阻可以实现更低的传导损耗,减少功率损耗,达到更高的效率。</P> <P align=center><IMG alt="Vishay新TrenchFET® MOSFET再度刷新业内导通电阻最低记录" src="/uploadfile/newspic/20120508091055595.jpg" border=0> </P> <P> TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一种新型结构,这种结构实现了非常高密度的设计,而没有明显增加栅极电荷,克服了经常在高晶格数量器件上出现的这个问题。今天发布的MOSFET的总栅极电荷较低,使得SiRA04DP在4.5V下导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)降至56nC-Ω。 </P> <P> SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系统效率,降低温度,采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK® SO-8封装,SiSA04DN的效率与之相近,3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封装的面积只有前三款器件的1/3。今天发布的所有器件的Qgd/Qgs比值仅有0.5或更低。更低的比值可以降低栅极感应电压,有助于防止击穿的发生。 </P> <P> SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN适用于高功率密度DC/DC转换器、同步整流、同步降压转换器和OR-ing应用。典型终端产品包括<A href="http://www.cps800.com/category/productcategory.asp?categoryid=12-1"><STRONG>开关电源</STRONG></A>、电压调节模块(VRM)、POL、<A href="http://www.cps800.com"><STRONG>通信砖式电源</STRONG></A>、PC和服务器。 </P> <P> TrenchFET Gen IV经过了100%的Rg和UIS测试。这些器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令。 {$page$}</P> <P> Vishay Siliconix是业内首家引入Trench MOSFET的供应商。该公司的TrenchFET知识产权包括大量专利,以及可追溯到20世纪80年代早期的基础技术专利。每一代新的TrenchFET技术生产出来的产品都将各种计算、通信、消费电子和其他应用中功率MOSFET的性能指标提高了相当可观的数值。 </P> <P> <STRONG>器件规格表:</STRONG></P> <P align=center><IMG style="WIDTH: 526px; HEIGHT: 220px" height=240 src="/uploadfile/newspic/20120508090941591.jpg" width=570 border=0><SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>