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IGBT业者正积极抢进600伏特以下的低电压应用。全球经济不稳定,加上主要应用市场竞争日益激烈,使得IGBT产业近来成长趋缓。为开创成长新契机,IGBT业者遂致力研发适合低电压应用领域的新技术与产品方案,甚至朝向12寸晶圆制造发展。
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<P> IGBT业者正积极抢进600伏特以下的低电压应用。全球经济不稳定,加上主要应用市场竞争日益激烈,使得IGBT产业近来成长趋缓。为开创成长新契机,IGBT业者遂致力研发适合低电压应用领域的新技术与产品方案,甚至朝向12寸晶圆制造发展。 </P> <P> 受到全球政府降低再生能源及运输支出的影响,绝缘闸双极电晶体(IGBT)元件及模组制造商纷纷陷入艰困处境。据Yole Developpement统计,大多IGBT制造商、封装公司和相关的被动元件制造厂在2012年出现衰退(图1),因而促使相关业者改变IGBT晶圆、封装等生产策略,期将产业带回先前快速的成长轨道上。 </P> <P> <STRONG>拓展低电压市场 IGBT厂生产策略转变 </STRONG></P> <P> 现阶段,几乎所有 IGBT制造商都在600伏特(V)以上相关电力电子应用市场竞争,范围由太阳能逆变器(Inverter)到马达驱动器。现有主要业者如位于德国的英飞凌(Infineon)、日本东京的三菱电机(Mitsubishi Electric),以及具备可提供阻挡高达3,300伏特电压元件优势的富士电机(Fuji Electric)。这些业者同时也跨足1,700伏特以下中电压应用领域;此一市场,可谓业界竞争最激烈的应用领域,因为几乎所有<A href="http://www.cps800.com/news/42107.htm"><STRONG>电力电子</STRONG></A>元件造商,皆可提供1,700伏特以下应用的IGBT元件。不过,若以营收计算,600~900伏特的产品才是市场产值最大的贡献来源。 </P> <P> 随着主流市场竞争日益严峻,有些公司开始想进入超越传统范围下缘的新领域,积极往200~600伏特低电压区间移转,以达到更大量的应用,如白色家电产品和相机闪光灯。然而,超级接面高效能金属氧化物半导体场效电晶体(Super Junction MOSFET)已应用于此电压区间,意味着IGBT产品要进入市场将有一些挑战,且制造商也将面临极大的价格竞争压力。<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>