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目前,我国IGBT技术取得了一定突破,应用需求巨大。IGBT芯片技术方面,中国南车建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线,去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线,8英寸3300V芯片已完成试制与测试,6500V芯片已研发出合格样品。IGBT模块技术方面,封装IGBT模块所用芯片大多由国外公司提供
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<P> 全国人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任谢超英表示,IGBT应用需求巨大,目前,我国IGBT消费市场规模约80亿元,到2020年可能达到300亿元的规模。 </P> <P> 目前,我国<A href="http://www.cps800.com/news/56023.htm"><STRONG>IGBT</STRONG></A>技术取得了一定突破,应用需求巨大。IGBT芯片技术方面,中国南车建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线,去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线,8英寸3300V芯片已完成试制与测试,6500V芯片已研发出合格样品。IGBT模块技术方面,封装IGBT模块所用芯片大多由国外公司提供,国产IGBT芯片年产值不到1亿元。但我国却是全球最大的功率半导体消费市场,市场潜力巨大。 </P> <P> 在谢超英看来,我国IGBT产业发展制约因素较多,亟待突破。一是没有形成创新体系,二是缺乏完整的生产线,三是配套产业薄弱,关键材料的国产化已成为我国IGBT产业快速发展的一大制约因素。 </P> <P> <STRONG>出台扶持政策加快产业化 </STRONG></P> <P> IGBT作为电能变换的关键部件,是现代科学、工业和国防的重要核心技术。为尽快改变我国功率半导体芯片基本依赖进口的局面,谢超英建议国家出台扶持政策,依托国内优势企业,通过示范和引导,大力推进我国IGBT产业化并形成规模优势。 </P> <P> 一是设立国家重大科技专项支持IGBT技术研发与产业化。建议设置功率半导体重大专项,支持IGBT等功率器件技术升级与产业拓展。探索IGBT研发与产业化的“后补助”政策,通过“事前申报、事后认定”的方式给予IGBT科技创新主体经费补助,推进IGBT技术的持续创新,加速科技成果产业化。<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>