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近日,2016年国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项——“第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术”项目启动会在北京中国科学院半导体研究所召开。项目牵头单位中国科学院半导体研究所相关领导、项目负责人、课题负责人及参与单位代表
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<P> 近日,2016年国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项——“第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术”项目启动会在北京中国科学院半导体研究所召开。项目牵头单位中国科学院半导体研究所相关领导、项目负责人、课题负责人及参与单位代表、项目咨询专家、科技部高技术中心相关人员等出席了会议。 </P> <P> “第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术”项目旨在面向水净化、空气净化及生物等应用,以提升第三代半导体紫外光源材料质量和量子效率为目标,突破深紫外LED、紫外LD材料和器件关键技术,最终实现高量子效率深紫外LED光源,开发出3-5种市场化深紫外光源应用产品,解决深紫外器件测试和产品标准缺失的现状;研制出高质量紫外激光器,实现UVB激光器电注入激射。<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>