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<P> 宾夕法尼亚、MALVERN—2021年1月11日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET®MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm紧凑型PowerPAK®SO-8L封装器件,而且10 V条件下其导通电阻仅为30 mW,达到业内优异水平。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20210116111507530.jpg"></P> <P> 日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比,导通电阻分别降低26%和46%,占位面积分别减小50%和76%。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功耗,从而节省能源,10 V条件下优异的栅极电荷仅为45 nC,减少栅极驱动损耗。</P> <P> 这款新型MOSFET可在+175°C高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJ211ELP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。</P> <P> 器件100 V额定值满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外,作为p沟道MOSFET,SQJ211ELP可简化栅极驱动设计,无需配置n沟道器件所需电荷泵。MOSFET采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100%Rg和UIS测试。</P> <P> SQJ211ELP现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。</P>