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<P> 中国北京-2022年5月17日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适用于主流的800V总线架构,这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。</P> <P> UnitedSiC/Qorvo功率器件总工程师Anup Bhalla表示:“我们通过更高性能的第四代器件扩充了1200V产品系列,为工程师将总线设计电压提高到800V提供了有力支持。在电动汽车中,这种电压升高无法避免;这些新器件支持四种不同的RDS(on)(漏源导通电阻)等级,有助于设计师为每项设计选择合适的SiC器件。”</P> <P> 以下SiC FET出色的品质因数展现了全新UF4C/SC系列的性能优势:</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220517150454101.jpg"></P> <P> 所有RDS(on)选项(23、30、53和70毫欧)都采用行业标准的4引脚开尔文源极TO-247封装,以更高的性能水平提供更清洁的开关。53和70毫欧的器件也可采用TO-247三引脚封装。该系列器件采用先进的银烧结芯片贴装和晶圆减薄工艺,通过良好的热性能管理实现了出色的可靠性。</P> <P> 此外,FET-Jet Calculator™免费在线设计工具支持所有1200V SiC FET;可以即时评估在各种AC/DC和隔离式/非隔离DC/DC转换器拓扑结构中所用器件的效率、组件损耗和结温上升指标。它可以在用户指定的散热条件下比较单个和并联器件,以获取优化解决方案。</P> <P> 全新1200V第四代SiC FET售价(1000件起,美国离岸价)为5.71美元(UF4C120070K3S)到14.14美元(UF4SC120023K4S)。所有器件均通过授权经销商销售。</P> <P> Qorvo的碳化硅和电源管理产品面向工业、商业和消费电子领域的充电、驱动和控制应用。</P>