现在很难在某一次业内会议上听不到或者看不到关于 IoT(Internet of Things——物联网)的讨论,但近日亮相ICCAD峰会的一家专为IoT应用而生的新型晶圆代工厂——三重富士通半导体还是让中国IC界眼前一亮!在本次ICCAD峰会上,刚成立不久的三重富士通半导体公司和业界人士深入讨论了该如何满足IoT应用所需的IC或器件的制造需求。据悉,三重富士通半导体是在2014年12月接管富士通半导体在三重工厂的300mm生产线和配套设备而新成立的一家专业代工企业。
伴随物联社会大发展应运而生
“随着以智能手机/平板电脑为代表的移动通讯市场的急速增长,预计汽车、医疗、工业等各种领域的智能化及以IoT为代表的新市场将出现增长、扩大趋势,对代工企业的需求也将从传统的小型化一边倒状态开始向如何进一步降低既有技术节点的功耗等其他方面的改进。” 三重富士通半导体业务发展部外山弘毅先生就曾在上月举行的2014年中国集成电路设计业年会暨中国内地与香港集成电路产业协作发展高峰论坛(简称ICCAD峰会)上表示。
图1. 三重富士通半导体业务发展部外山弘毅先生。
为应对IoT所带来的设计挑战,打造未来智慧城市,三重富士通半导体于2014年12月接管富士通半导体在三重工厂的300mm生产线和配套设备,由此一个代工专业企业便应运而生。
“作为代工合作伙伴,我们旨在通过定制化的工艺技能和技术支持,助力您的商业成功。我们承诺将通过革命性的解决方案和快速反馈,满足客户的需求。‘成为面向智能社会的新型智能代工厂’是我们努力的目标。” 外山弘毅先生表示。
图2. 三重富士通半导体公司领先的制程方案解决IoT设计挑战
可穿戴、移动智能和物联网市场的快速增长给半导体行业带来新的机遇,而三重富士通半导体出色的技术(ULP(超低功耗技术),eNVM(非易失性存储器)和RF)以及技术支持(定制化),将助力客户实现能够支持智能社会的产品。
超级CMOS技术(ULP、eNVM、RF)
“降低功耗并控制成本已成为半导体行业的最大课题,我们将通过改善成本效率最为出色的平面CMOS工艺技术来解决这一问题。这种工艺技术是IoT市场的关键”。外山弘毅先生表示。
在技术层面,三重富士通半导体公司在基本的CMOS工艺基础之上做了工艺的改善,这包括:ULP(超低功耗技术)、非易失性存储器和RF设计。
1、ULP——可实现移动式和可穿戴器件所必需的超低功耗
如下图3所示。为实现移动穿戴设备不可或缺的低功耗,三重富士通半导体公司已经开发出“C55ULP”加工技术。“C55ULP”具有在超低电压下可保持运作的晶体管与超低漏电晶体管技术。这种晶体管为了降低功耗采用了与传统的CMOS不同的结构,以实现超低功耗。因此,当与传统的55nm CMOS技术相比较时,“C55ULP”在相同的运作速度下,实现了较“C55LP”大约50%的功耗缩减。
图3. 在相同的运作速度下使ULP技术较LP技术降低50%功耗。
此外,超低漏电晶体管也将泄漏电流从毫微微安培降低到皮皮安培。“C55ULP”还可为客户量身打造提供低功耗方案。“我们是世界上首家且唯一一家引进超低电压和超低漏电晶体管技术并从事大量生产的代工企业。” 外山弘毅先生特别强调。
2、eNVM——提供最低成本且与CMOS有高融合性的非易失性存储器
非易失性存储器多使用于汽车、IC卡、智能仪表等各种电子仪器。三重富士通半导体公司将以最低成本为客户安装具备与CMOS有高融合性的非易失性存储器。
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