英飞凌推出整合IGBT与二极体功能的单晶片

    英飞凌科技(Infneon TEchnologies)推出6.5kV功率模组，在单一晶片上整合IGBT与飞轮二极体功能。新款RCDC(具备二极体控制功能的逆导IGBT)晶片，适合用于现代化高速火车与高效能牵引式机械、未来的HVDC电力传输系统，以及石油、天然气与采矿等产业所使用的中电压马达。

英飞凌推出整合IGBT与二极体功能的单晶片

    相较于之前相同尺寸的模组，RCDC技术将电流密度提高33%，并改善了散热效能，因此达成更长的生命周期、更高的可靠性，进而将所需的维护减到最少。

    运用RCDC技术，英飞凌扩充其高效能IGBT的6.5kVKE3产品组合。在正向与反向电流方向皆建置功率更高的矽区块，提高了电流密度，这让设计人员能够增加系统输出功率，而不需扩大面积。功率密度提高的效益，也可用来维持功率，同时减少IGBT的数目，进而缩减系统尺寸、重量与成本。

    英飞凌RCDC解决方案提供IHV-A高绝缘封装，采用业界标准尺寸，可直接替代现有的应用。除了达成更高的功率密度外，将IGBT与二极体整合于单一晶片，也可大幅提高二极体I2t值，以及IGBT与二极体的热阻抗(Rth/Zth)，后者确保整个运作过程中理想的散热效能。更低的晶片温度(Tvj)涟波，可延长运作寿命;使用闸极控制的选项，也可让设计人员权衡取舍导通与切换损耗，以达成最高整体效率。

    RCDC模组现已开始提供工程设计样品，搭配包含驱动器评估板的入门套件，预计于2015年第4季推出。为简化与加快产品建置，英飞凌提供各种设计支援选项，包括应用手册与控制概念。<