2019年9月26 日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列，与传统硅替代方案相比，拥有更高的效率与功率密度，以及更小的整体系统尺寸，并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。
TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器，经过特别设计，能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。LMG1210能实现超高性能与高效运行，并具有10 ns的超短传播延迟，优于传统硅半桥驱动器。此器件还具有1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制，可让设计人员优化系统内的死区时间，进而改善效率。
LMG1210拥有3.4 ns高侧/低侧延迟匹配、4 ns最小脉宽和内部LDO，可确保在任何电源电压下都能维持5V的栅极驱动电压。本驱动器还具备超过300 V/ns的业内超高共模瞬态抗扰度 (CMTT)，可实现较高的系统抗扰性。
TI LMG1210驱动器适用于高速DC/DC转换器、电机控制、D类音频放大器、E类无线充电、RF包络跟踪以及其他功率转换应用。
更多信息，敬请访问www.mouser.cn/ti-lmg1210-mosfet-gan-fet-drivers。
贸泽电子拥有丰富的产品线与贴心的客户服务，积极引入新技术、新产品来满足设计工程师与采购人员的各种需求。我们库存有海量新型电子元器件，为客户的新一代设计项目提供支持。Mouser网站Mouser.cn不仅有多种高级搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况，而且网站还在持续更新以不断优化用户体验。此外，Mouser网站还提供数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具等丰富的资料供用户参考。
TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器，经过特别设计，能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。LMG1210能实现超高性能与高效运行，并具有10 ns的超短传播延迟，优于传统硅半桥驱动器。此器件还具有1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制，可让设计人员优化系统内的死区时间，进而改善效率。
LMG1210拥有3.4 ns高侧/低侧延迟匹配、4 ns最小脉宽和内部LDO，可确保在任何电源电压下都能维持5V的栅极驱动电压。本驱动器还具备超过300 V/ns的业内超高共模瞬态抗扰度 (CMTT)，可实现较高的系统抗扰性。
TI LMG1210驱动器适用于高速DC/DC转换器、电机控制、D类音频放大器、E类无线充电、RF包络跟踪以及其他功率转换应用。
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贸泽电子拥有丰富的产品线与贴心的客户服务，积极引入新技术、新产品来满足设计工程师与采购人员的各种需求。我们库存有海量新型电子元器件，为客户的新一代设计项目提供支持。Mouser网站Mouser.cn不仅有多种高级搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况，而且网站还在持续更新以不断优化用户体验。此外，Mouser网站还提供数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具等丰富的资料供用户参考。
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本文链接：贸泽推出TI LMG1210 MOSF
http:www.cps800.com/news/62247.htm
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0755-82905460
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