针对高耐用性和可靠性电源需求意法半导体推出市场上击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器

　　意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。

　　VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压，无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件，即可实现类似的电压处理能力，可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能，MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。

　　单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑，包括原边或副边稳压隔离反激式转换器、电阻反馈非隔离反激式转换器、降压转换器和降压-升压转换器。

　　市场上最高的MOSFET击穿电压，结合片上集成的一整套功能，需要极少的外部电路，这些特性使设计人员能够节省物料清单成本和电路板空间，同时提高电源的可靠性，例如，单相和三相智能电表、三相工业系统、空调和LED照明的电源。

　　新产品还有很多其它优点，例如，内部固定开关频率60kHz，抖动±4kHz，配合MOSFET开通和关断期间栅极电流控制功能，可以最大限度地降低开关噪声辐射。高转换效率和低于30mW的空载功耗，有助于应用达到高能效等级和严格的生态设计要求。

　　VIPer26K现已投产，采用SO-16N封装。

　　详情访问www.st.com/viper26k-pr。