TX-KD101 MOSFET驱动器
产品详情
特点:
单管大功率VMOS管驱动器
无需隔离电源
工作占空比5-95%
关断时输出为负电平
应用:
可驱动大功率VMOS 或IGBT一到两只(并联)。适用的器件,封装大致为TO-3P、TO-247,电流容量范围为20-60A,电压容量范围为400-1700V,栅源电容Cgs范围为4.7-15nF。
PWM/PFM控制和移相控制均可
免责声明:以上所展示的信息由会员自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。电源在线对此不承担任何保证责任。