TX-KD103 MOSFET驱动器
产品详情
特点:
单管中、大功率VMOS管驱动器
无需隔离电源
工作占空比5-95%
关断时输出为负电平
应用:
可驱动中等功率VMOS 或IGBT。适用的器件,封装大致为TO-220,电流容量范围在5-25A,电压容量范围在50-1000V,栅源电容范围在2.2-10nF。
也可以驱动封装大致为TO-247和TO3P的大功率管一只、或上述中功率管两只,但工作频率不宜高于100KHz。
PWM/PFM控制和移相控制均可
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