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低电压大电流采用绝缘封装的MOSFET

无图片
公司名称:深圳市鹏源电子有限公司
所属类别:电源配套分类>>功率器件
电子信箱:sales@szapl.com
联系电话:0755-82947272
联 系 人:阮胜超
更新时间:2010-7-29 14:42:31
 
产品详情

    2007年3月20日,IXYS公司正式推出低电压大电流采用绝缘封装的MOSFET,电压从55V到100V,有极低损耗和极低的Rds(on),这是IXYS公司不断丰富的针对低电压,大电流功率变换的应用的产品之一。

    新的大电流MOSFET采用了IXYS专利的ISOPLUS封装工艺!这种ISOPLUS i5-Pak封装的 大电流MOSFET特点是导通损耗和开关损耗极低,有硬开关需要的雪崩额定值。这一系列采用ISOPLUS i5-Pak 封装的MOSFET集成了两个大电流MOSFET芯片,是高可靠性,高大电流处理能力的绝缘封装的产品。传统的分立器件的封装的电流处力能力基本上都是局限在75A以下,这大大低于其内部的晶片的电流处力能力。而IXYS的ISOPLUS i5-Pak封装就是为克服这一难点设计的,它结合了非常好的绝缘,散热能力和高功率循环能力等优点。同时可以灵活地把不同拓朴结构封装于其中。以这系列的大电流MOSFET为例,该产品有5个管脚。集成了并联的两个MOSFET,以两个内部相联的管脚作输出,使该封装的电流处理能力高达150A,大大超出传统封装电流处理能力的极限!

    所有IXYS的ISOPLUS封装均采用直接铜焊(DCB)技术作内部绝缘(该技术一般只应用于功率模块),并且已取得UL认证。其中:IXTL2X240N055T,是55V的,Rds(on)仅0.0044欧姆,Rth(jc)仅1.0 k/w  ,IXTL2X18N10T 100V Rds(on)仅0.0074欧姆,Rth(jc)仅1.0 k/w,这些产品能为电动汽车, 电动叉车, 电动摩托车,高尔夫球车等高功率,低电压的应用提供独特的高性价比的器件方案。

PartNumber

VDSS

Max

(V)

ID(cont)

TC=25°C

(A)

RDS(on)

Max

Tj=25°C

(Ω)

Ciss

typ

(pF)

Qg

typ

(nC)

trr

typ

(ns)

RthJC

max

(K/W)

PD

 

(W)

 

IXTL2x220N075T

75

 

0.0055

7700

165

50

1.00

150

IXTL2x200N085T

85

 

0.0060

7600

152

55

1.00

150

IXTL2x180N10T

100

 

0.0074

6900

151

60

1.00

150

IXTL2x240N055T

55

 

0.0044

7600

170

40

1.00

150

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