三菱IGBT模块
武汉晶达电子有限公司聚十多年功率半导体的专业经验,为三菱功率半导体器件在中国区域的授权代理商,负责三菱功率半导体在中国市场的推广和销售工作。以下大量现货,欢迎查询。
A系列
特点:
a) 采用最新的CSTBT硅片技术;
b) 低饱和压降Vce(sat);低开通损耗Eon;低关断损耗Eoff高短路承受力(不需要RTC);
c) 降低栅极电容,栅极驱动功率接近平板型IGBT;
d) 采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性,比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻;
e) 比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构,按IEC747-15标准定义温度和热阻。
用途:
低成本设计,适合中、低端
型号 |
模块结构及参数 |
型号 |
模块结构及参数 |
CM400HA-24A |
一单元,400A/1200V |
CM75DY-34A |
两单元, 75A/1700V |
CM600HA-24A |
一单元,600A/1200V |
CM100DY-34A |
两单元,100A/1700V |
CM100DY-24A |
两单元,100A/1200V |
CM150DY-34A |
两单元,150A/1700V |
CM150DY-24A |
两单元,150A/1200V |
CM200DY-34A |
两单元,200A/1700V |
CM200DY-24A |
两单元,200A/1200V |
CM300DY-34A |
两单元,300A/1700V |
CM300DY-24A |
两单元,300A/1200V |
CM400DY-34A |
两单元,400A/1700V |
CM400DY-24A |
两单元,400A/1200V |
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CM600DY-24A |
两单元,600A/1200V |
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