采用最新的CSTBT硅片技术,与H系列产品外观相同：低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff,高短路承受力（不需要RTC）,降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT,最好的热阻性能， T(j-f)比竞争对手好一个等级,采用传统的与H系列兼容的 Rth(j-c) 和Rth(c-f)定义,封装全系列与H系列产品兼容,适用于：通用变频器、交流伺服、风力发电、太阳能发电、恒压恒频等设备
CM150DY-12NF       150A/600V/2U
CM200DY-12NF       200A/600V/2U
CM300DY-12NF       300A/600V/2U
CM100DY-24NF      100A/1200V/2U
CM150DY-24NF      150A/1200V/2U
CM200DY-24NF      200A/1200V/2U
CM300DY-24NF      300A/1200V/2U