采用最新的CSTBT硅片技术;低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff;高短路承受力（不需要RTC）;降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT;采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻;比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构;按IEC747-15标准定义温度和热阻 ,  低成本设计，适合中、低端变频器产品设计
CM100DY-24A    100A/1200V/2U
CM150DY-24A    150A/1200V/2U
CM200DY-24A    200A/1200V/2U
CM300DY-24A    300A/1200V/2U
CM400DY-24A    400A/1200V/2U
CM600DY-24A    600A/1200V/2U