低压
AOS新组合的AON6200高边和AON6702低边30V N沟道MOSFET可实现高效率和低噪音的电源转换。AON6200是在AOS专有的分裂闸(SGT)技术上推出的首个产品,提供领先的Ciss和Crss性能以减少开关渡越损耗。AON6702(最大值2mΩ)低边MOSFET是AOS第二代SRFET™技术的旗舰产品,以单片的方式将肖特基二极管与MOSFET相集成。通过减少传导和开关损耗,肖特基的低正向压降和低存储电荷、Qrr实现高效率。
将AON6200和AON6702配置在一起能够高效率地轻松支持每相25A,并提供低于竞争对手解决方案25%的振铃。较低的噪音操作提高系统整体的可靠性和性能,同时还减少EMI排放。两种产品都采用尺寸不到1mm的DFN5x6封装,并使用绿色的、无卤素的模塑料。
AOS还扩大其低压P沟道MOSFET产品。AON6403采用AOS第四代(G4)P沟道技术制造,提供同类产品中最低的导通电阻。其导通电阻最大为3.2mΩ,在电池断开连接或热切换应用中可提供最高效的负载和电源开关。
中压
AOS发布其专有的SDMOS™系列上的头两款100V N沟道MOSFET。14mΩ的AON6450采用无卤素的DFN5x6封装,非常适合半桥和全桥的电信电源。15mΩ的AOT412采用无卤素的TO-220封装,在此方面AOS是率先推出绿色版本的供应商之一。AOT412经特别设计,在AC-DC适配器中提供效率比传统二极管解决方案更高的同步整流器解决方案,从而符合新的80+电源标准。AOS的SDMOS产品的软二极管性能可减少噪音,简化电源设计者的工作以设计可靠的系统并准时推出他们的产品。
高压
AOS扩大其高压500V-600V的MOSFET产品以包含650V的选件。AOS将推出完整的650V产品系列(从6A到12A)以支持需要更多电压设计余量的AC/DC应用。通过提供优化组合的低RDS(ON)和Crss,新的MOSFET可实现高效的电源转换,同时又减少开关损耗。这些产品也以无卤素的TO-220和TO-220F封装提供。
AOS负责MOSFET产品的市场总监David Grey说:“我们的目的是为每个电源构建基块提供高性能的电源技术。这以带有功率因数校正功能的AC输入开始,通过高功率密度负载点DC-DC转换器在现代的电子系统的中心达到顶峰。”
AOS市场营销副总裁Tony Grizelj补充说:“AOS不断发展的MOSFET技术组合,是我们开发包括离散式和电源IC产品在内的整体电源解决方案的关键部分。我们最新一代绿色产品和技术的推出肯定了AOS为客户提供高性能、环保的电源解决方案的承诺。”
价格和供货情况
新产品现已量产供应。下表列出简要的规格和价格。
产品号 | 封装 |
VDS (V) |
RDS(ON) (mΩ max) |
Ciss (pF typ) |
Crss (pF typ) |
IDS (A) |
单价 (1000件) |
AON6200 | DFN5X6 | 30 | 8.5 | 1100 | 31 | 50 | $0.58 |
AON6702 | DFN5X6 | 30 | 2.0 | 5900 | 560 | 85 | $1.10 |
AON6403 | DFN5X6 | -30 | 3.2 | 7600 | 1050 | -85 | $1.25 |
AON6450 | DFN5X6 | 100 | 14.5 | 2570 | 80 | 52 | $1.15 |
AOT412 | TO-220 | 15.8 | 2680 | 100 | 60 | $0.90 |
关于AOS
Alpha&Omega Semiconductor,Inc.是一家开发先进的模拟电源管理解决方案的半导体研发公司。AOS提供包括电源MOSFET、电源IC和瞬态电压抑制器在内的广泛产品组合,融入了设备设计、硅和封装技术领域的先进成果。AOS产品满足了诸如便携式和台式电脑、数码相机、手机和液晶显示面板等的消费者应用对性能和功效不断增长的需求。AOS在全球设有办事处和销售代表,涵盖美国、欧洲和亚太地区。要了解更多详情,请浏览www.aosmd.com。
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陳生
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