高性能RISC CPU：

• 仅需学习33 条单字指令

• 除了程序转移指令，所有指令都是单周期指令；程序转移指令是双周期指令

• 2层深硬件堆栈

• 数据和指令采用直接、间接和相对寻址模式

• 工作速度：

- DC－ 20 MHz 晶振

- DC－ 200 ns 指令周期

• 片上闪存程序存储器- 1024 x 12

• 通用寄存器（SRAM）- 67 x 8

• 闪存数据存储器- 64 x 8

单片机特性：

• 8MHz高精度内部振荡器- 出厂时精度已校准到±1%

• 在线串行编程（In-Circuit Serial Programming™， ICSP™）

• 在线调试（In-Circuit Debugging， ICD）支持

• 上电复位（Power-On Reset， POR）

• 器件复位定时器（Device Reset Timer， DRT）

• 看门狗定时器（Watchdog Timer， WDT），带专

用的片上RC 振荡器以便可靠地工作

• 可编程代码保护

• 复用的MCLR 输入引脚

• I/O引脚具有内部弱上拉功能

• 节能休眠模式

• 在引脚电平变化时从休眠中唤醒

• 可供选择的振荡器选项：

- INTRC：4 MHz 或8 MHz 高精度内部RC 振荡器

- EXTRC：外部低成本RC 振荡器

- XT： 标准晶振/ 谐振器

- HS： 高速晶振/ 谐振器

- LP： 节能低频晶振

- EC： 高速外部时钟输入

低功耗特性/CMOS 技术：

• 待机电流：- 2.0V时典型值为100 nA

• 工作电流：

- 32kHz、2.0V 时典型值为15 μA

- 4MHz、2.0V 时典型值为170 μA

• 看门狗定时器电流：

- 2.0V时典型值为1 μA

- 5.0V时典型值为7 μA

• 高耐久性程序和闪存数据存储器单元

- 程序存储器耐写次数达100,000 次

- 闪存数据存储器耐写次数达1,000,000 次

- 程序和闪存数据保存时间：> 40 年

• 全静态设计

• 宽工作电压范围：2.0V 至5.5V

- 宽温度范围- 工业级：-40°C 至+85°C

外设特性：

• 12个I/O 引脚

- 11个可单独进行方向控制的I/O 引脚

- 1个仅用作输入的引脚

- 高灌/ 拉电流能力，可直接驱动LED

- 电平变化时唤醒

- 弱上拉

• 带有8 位可编程预分频器的8 位实时时钟/ 计数器（TMR0）

• 2个模拟比较器

- 可从外部访问比较器输入和输出

- 1个比较器，具有0.6V 固定片上绝对参考电压（VREF）

- 1个比较器，具有可编程片上参考电压（VREF）

• 模数（Analog-to-Digital， A/D）转换器

- 8位分辨率- 3通道外部可编程输入- 1通道内部输入连接到内部0.6V 参考电压