威柏电子专业代理富士电机半导体HPM(High Power module),3.3KV IGBT模块，3.3KV IGBT Module,3300V IGBT模块，3300V IGBT Module

1MBI1200U4C-120
1MBI1200U4C-170
1MBI1200UE-330
1MBI150UH-330L
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1MBI2400U4D-120
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1MBI600PX-120
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1MBI600U4-120
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1MBI800UG-330
2MBI1000VXB-170-50
2MBI1200U4G-120
2MBI1200U4G-170
2MBI1400VXB-120-50

高性能芯片：沟槽FS结构的 U 或 V-芯片

低热电感封装：更佳的热性能 低热电阻陶瓷

高绝缘寿命封装材料：新外壳 CTI>600

更多输出功率密度 以175℃ Tj(最大)
 
相容性封装：功能相容性能和入出力位置

广泛应用于：铁路牵引电机；机车变流装置；风力发电；高压变频器...