士兰微SVD2N60

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更新时间：2012-4-3 21:44:52

产品详情

SVD2N60M/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-Rin 平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原跑设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源.DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动

特点

*2A 600V,RDS(ON)=4.02Ω@VGS=10V

*低栅极极电荷量

*低反向传输电容

*开关速度快

*提升了dv/dt能力

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