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MKP型缓冲保护电路电容器应用于脉冲线路,使用双面金属化电极,强化喷金接触和内部串联连接结构.

·电容器干式技术
·脉冲保护结构
·具有自愈性能
·使用内部串联联接
·极低损耗因素和等效串联电阻
·极高的额定电流承载能力
·极高的DV/DT值
·温度变化对容量影响小


典型应用

·应用于要求非常高可靠性能的高脉冲和高频率电路
·应用于IGBT模块电路
·功率半导体能量转换电路

结构

·介质材料: 聚丙烯(PP)膜
·电容器电极: 双面金属化塑料薄膜

封装

·密封,阻燃工程塑胶外壳,阻燃环氧树酯填充

引出端

·镀锡铜片(N型/ L型端子)
·镀锡铜线(Ф0.8~1.5)

包装

·为了运输安全,采用纸箱包装.

安装推荐

·在组装和使用本缓冲电容器时,应避免过多的机械扭伤如挤压或撞击,震动在电容器上.
·当安装铜片,螺杆的扭矩最大值为5Nm.


MKP -BN/BL IGBT 缓冲电容器技术规范
额定电压(Un / URMS)
VDC 630 850 1000 1200 1600 2000
VAC 275 450 500 550 600 750


额定电容量(Cn)
0.10μF to 4.7 μF

容量偏差
J(+/-5%) 或 K(+/- 10%), @ 1kHz, +25°C

工作温度范围
-40 ℃ ~ +85 ℃

损耗因子(DF)
Cn≤1μF: ≤0.04%; Cn>1μF: ≤0.06%, @ 1kHz, +25°C

绝缘电阻(IR)
IR >30,000MΩ x μF (或不少于 30,000MΩ)
@+25°C(<70% RH) 测试电压100VDC,保持时间1分钟.

最大电压上升速率 (dv/dt)
参考技术数据表 +25℃

最大峰值电流 - IPEAK
(不可重复的)

IPEAK =C×dv/dt

最大额定电流.(In)
参考技术数据表 @100KHZ, +70℃

最大等效串联电阻(ESR)
参考技术数据表 +25℃

介质电压强度
引出电极间施加200% 的VDC额定电压, 10 sec.+ 25°C.
引出电极与外壳之间施加3KVAC 50/60Hz, 2 sec.

容量漂移
<1.0% 在40°C 下, 时间两年.

温度系数
-200ppm/°C +/- 100ppm/°C

预期寿命
≥ 30,000 小时 @VAC at 70°C

失效概率
300/10亿次

容量变化
(典型值) -5% ≥100,000小时 @WVDC at +70°C

介质材料
聚丙烯薄膜-真空蒸镀金属层电极

结构
双面金属化薄膜,内串结构

引出端
铜镀锡 N 或 L型引出端,镀锡铜线(Ф0.8~1.5)

密封
阻燃塑胶外壳 (UL 94V-0)和阻燃环氧树酯填充 (UL 94V-0)