MOSFET的规格书中，通常会给出MOSFET的特性参数，如输出曲线、输出电压、通态电阻RDS(ON)、栅极阀值电压VGS(TH)等。在选择MOSFET时，需要根据电路的具体要求选择适当的参数。同时注意，每个参数都有对应的测试条件。

虽然在MOSFET的规格书中会给出很多参数，但有五个参数是最重要的：首先要选择合适的封装；第二，要看击穿电压额定值（VDSS）；第三，选择适当通态电阻RDS(on)；第四，要看栅极电荷量QGD，它会影响开关速度；第五，要看栅极阀值电压VGS(TH)，它是刚刚开始形成导电沟道的栅、源极电压。

击穿电压V(BR)DS是指PN结发生击穿后，在输出特性曲线中漏极电流ID从水平开始迅猛上升时的漏源极电压值，是在关断时漏源极能承受的最大电压。在规格书中，会给出结测试条件，比如结温是25℃到150℃，参考标准是IEC600134。

当MOSFET处于导通状态时，漏源极之间可以看做一个电阻，阻值通常是欧姆或者毫姆。该通态电阻是影响最大输出的重要参数，在开关电路中它决定了信号输出幅度与自身损耗。通态电阻会受到漏极电流、栅源极电压与温度的影响。在设计时，可参考RDS曲线。

在MOSFET开关期间，由于残存电荷的存在，MOSFET会消耗很大的能量。这个开关损耗，会使器件的温度升高。开关能量损耗，主要取决于栅极电荷量QGD，QGD较小的话，开关损耗就小。

栅极阀值电压VGS(TH)表示开始有规定的漏极电流时的最低栅极电压。在工业应用中，常将漏极短接条件下ID>1mA时的栅极电压定义为阀值电压。阀值电压会随结温而变化，所以通常在规格书中会标出其最小值和最大值。

ST1284-02A8RL
ST3243ECTR
ST72F621L4M1L
ST735CD-TR
STA013T
STB11NK50ZT4
STB4NB80T4
STBV32
STBV42
STBV45
STD100NH03LT4
STD1NK60
STD2N52
STD2NC60
STD7NB20T4
STK2NA60
STN3NE06
STP10NC50F
STP11NB40FP
STP16NB25
STP2NC60
STP3NC60FP
STP3NK90Z
STP4NK60Z
STP55NF06
STP6NB60
STP8NA50
STPR1620CT
STPS10L25D
STPS10L45CT
STPS10L60D
STPS120E
STPS15L60CB-TR
STPS160A
STPS20L15D
STPS3045CG-TR
STPS3045CT
STPS3045CW
STPS30L30
STPS30L30CG
STPS30L40CG
STPS30L45CG-TR
STPS4030CT
STPS40L45
STPS40L45CT
STPS41H100CG
STPS745FP
STQ1NC40
STQ1NC45
STQ1NC60R-AP
STQ1NC60R-AP
STS2DNF30L
STS3DPFS30
STTA806D
STTH2003CR
STTH5R06D
STW7NB80
STW8NB90

STB11NK50ZT4
制造商:  STMicroelectronics   
 
产品种类:  MOSFET Power   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管极性:  N-Channel   
 
封装 / 箱体:  D2PAK   
 
电阻汲极/源极 RDS（导通）:  0.48 Ohms   
 
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :  77 S   
 
汲极/源极击穿电压:  500 V   
 
闸/源击穿电压:  +/- 30 V   
 
漏极连续电流:  10 A   
 
功率耗散:  125 W   
 
最大工作温度:  + 150 C   
 
封装:  Reel   
 
最小工作温度:  - 55 C