SVD4N60D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用仕兰微电子的S-Rin^TM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
    该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
特点：

* 4A，650V，RDS(on)=2.3Ω@VGS=10V
* 低栅极电荷量
* 低反向传输电容
* 开关速度快
* 提升了dv/dt 能力

* 封装形式：TO-220F-3L
还可提供其它规格：1N60DB、1N60M、1N60B、1N60D、2N60F、2N60M、2N60D、 4N60F、4N60D、4N65F、7N60F、8N60F、10N65F、12N65F、730F、730T、830F、840F