如今,小型手持通信设备设计面临的主要挑战是,如何适应多种移动通信模式和频带的并存以及适用于小型手持设备的无线应用程序。
英飞凌的射频前端器件产品组合:
高性能LNA-MMIC
射频双极和MOSFET晶体管
CMOS开关
射频二极管
无需降低数据速率和灵敏度性能,即可实现高功率密度射频设计。
以下是部分Infineon英飞凌公司产品,更多英飞凌产品咨询请联系南皇电子:
BTN7930B 双极性,驱动器 - 全集成,控制和功率级
BTN7933B 导通电阻10 毫欧,18 毫欧,输入类型非反相
BTN7960B 双极性,驱动器 - 全集成,控制和功率级
BTN7963B 导通电阻7 毫欧,9 毫欧,输入类型非反相
BTN7970B 双极性,驱动器 - 全集成,控制和功率级
BTN7971B 双极性,驱动器 - 全集成,控制和功率级
BTN7973B 导通电阻7 毫欧,9 毫欧,输入类型非反相
BTS640S2-G 导通电阻27 毫欧,输入类型非反相
IPB009N03L G MOSFET N 通道,30V
IPB010N06N MOSFET N 通道,60V
IPB011N04L G MOSFET N 通道,40V
IPB011N04N G MOSFET N 通道,40V
IPB014N06N MOSFET N 通道,60V
IPB016N06L3 G MOSFET N 通道,60V
IPB017N06N3 G MOSFET N 通道,60V
IPB019N08N3 G MOSFET N 通道,80V
IPB020N04N G MOSFET N 通道,40V
IPB023N06N3 G MOSFET N 通道,60V