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安森美半导体将推出后稳压、双N沟道MOSFET驱动器
新闻ID号:  1375 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  元器件 其他
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发布时间:  2005/3/29 11:01:04
更新时间:  2005/3/29 11:01:04
审核情况:  已审核开通[2005/3/29 11:01:04]
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发 布 者:  电源在线
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  全球领先的电源转换解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)今日宣布,将推出NCP4330——后稳压、双N沟道MOSFET驱动器,能提高常用于ATX和高功率开关电源(SMPS)的正激转换器的效率。

  NCP4330为串联FET和续流同步FET驱动输出,提供比通常使用的硅整流器更高的效率。此器件与传统磁放大器控制电路解决方案相比,它更为小巧,性价比更高。能有效的从5V 功率序列产生3.3V或其他输出,但电源的变压器上无需额外的绕组和终端。次级交流(AC)信号直接向NCP4330馈电,减小功率耗散,同时减少电源电路的总元件数量。

  NCP4330的重叠管理技术允许软切换,因此可进行更高频率的有效工作,是在高达400千赫(kHz)频率中工作的电源的理想选择。这包括新一代ATX及电信直流-直流 (DC-DC) 转换器。同时此器件集成了欠压闭锁和过热关断功能,强化设计。

  安森美半导体电源转换产品副总裁Andy Williams说:“NCP4330是安森美半导体的又一新型器件,为设计人员提供有效的工具,帮助他们满足ATX电源中越来越严格的效率要求。我们本着丰富的产业经验及专门技术来开发此器件,以达到ATX电源80%以上 (80plus) 的能效。”