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ADI推出0.6μm耐高压工艺技术“iCMOS”
新闻ID号:  144 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  元器件 连接器及端子 辅助材料 其他
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发布时间:  2004/11/16 17:41:02
更新时间:  2004/11/16 17:41:02
审核情况:  已审核开通[2004/11/16 17:41:02]
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发 布 者:  电源在线
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  美国模拟器件公司(ADI)日前开发成功了可承受电压达30V、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“iCMOS工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟IC。

  此前,生产可承受30V高压的模拟IC芯片,需要采用设计规格为1μm~3μm的Bipolar-CMOS技术。而采用此次的iCMOS工艺技术,与此前相比可减少耗电、减小芯片面积,还可实现高速运行等。因为具有以上优良性能,ADI计划在面向产业设备和医疗设备的模拟IC生产领域,全面推进由此前的Bipolar-CMOS技术向iCMOS工艺技术的过渡。

还同时宣布采用该技术生产15种产品

  该公司在发表iCMOS工艺技术的同时,还宣布将采用该技术生产15种模拟IC产品。包括运算放大器、A-D转换器、D-A转换器、转换器和多路复用器等(本文最后的部分有介绍)。每款产品都在±5V或±15V等高电压下运行。

  因为iCMOS工艺技术为0.6μm的微细设计规格,所以不仅可减小芯片面积、对外围电路进行集成,截止频率fT也高达1GHz。比如说,采用iCMOS技术制造的A-D转换器与同类产品相比,耗电量可减少25%~40%,成形速度也可达此前的5倍左右。

  目前,半导体业界的技术开发出现了面向数字家电一边倒的有趣现象。不过,ADI表示:“我们一贯重视面向产业设备的耐高压模拟IC的技术开发,今后仍将继续努力”(该公司Precision Converters生产线主任Mike Britchfield)。ADI还计划根据市场需求,将iCMOS工艺技术应用到面向特定用途的半导体产品(ASSP:Application Specific Standard Product)的生产中。不过,目前还没有接受采用iCMOS工艺技术的定制IC的订货计划。

  采用iCMOS工艺技术的新产品(部分)如下:

■D-A转换器IC“AD5764”
——输入数字信号的分解能力为16位,输出信号的电压范围为±10V。

■A-D转换器IC“AD7328”
——输入信号的分解能力为12位,量子化分解能力为12位。

■运算放大器“AD8661”
——最大可增压至16V(±8V)运行。

■转换器和多路复用器“ADG12xx”
——每个磁道容量为2pF,最大导通电阻仅为5Ω。