纽伦堡，2008年7月8日 - 赛米控为现有SEMITOP^® IGBT产品线推出一种新的拓扑结构，用于三电平逆变器。该结构将IGBT技术与较低的开关和传导损耗相结合，与两电平逆变器相比，损耗减少60%。与半桥模块相比，该SEMITOP^®模块是专为低换流电感率而设计。DC/AC转换效率得到了提高，可用于功率等级为5-80kVA的UPS。

    三电平逆变器是一种符合成本效益的解决方案，因为用一个单一模块取代标准两电平半桥结构中的两个模块。三电平逆变器在结构上由一系列串联的 IGBT来实现，这样有可能获得更高的反向IGBT阻断电压。通过连接三个这样的模块，有可能实现一个完整的具有最高电气和热效率的三相三电平逆变器拓扑结构。由于其正弦输出波形，有可能减少谐波和所需的输出滤波器。与标准两电平半桥逆变器相比，三电平逆变器的整体尺寸和成本都减少了25%。

用于三电平逆变器的SEMITOP^®模块。该结构将IGBT技术与较低的开关和导通损耗相结合，与两电平逆变器相比，损耗减少60%。

    600V的IGBT反向阻断电压下，额定电流为20-150A。在电源应用中，模块运行时的输入功率在5-80kVA。用于三电平逆变器的IGBT有两种封装：SEMITOP^® 3（55x31mm²），用于额定电流为20-50A的模块和SEMITOP^® 4（60x55mm²），用于额定电流为75-150A的模块。

    SEMITOP^®是一款绝缘的功率模块，高度只有12mm。由于采用了无底板技术，可以被迅速安装到复杂电路中。而且只需一颗螺丝即可将其固定在散热器上，然后自动焊接到 PCB上。压接技术和单螺丝安装确保了低热阻，而无机械应力设计确保了高功率循环能力。单螺丝安装使得安装快捷。经过17种不同的认证和超过10000小时的测试，模块性能得到了证实。