适用于负载点同步降压转换器应用

    日前，全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一系列新型25V及30V N通道沟道HEXFET功率MOSFET。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。

    新MOSFET系列采用了IR经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻(RDS(on))，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。

    IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这些新型MOSFET采用Power QFN封装，可比SO-8封装提供更高的功率密度，同时保持相同的引脚排列配置。新型双SO-8 MOSFET还可通过‘二合一’交换来减少元件数目，满足不同应用的要求。”

    单双N通道MOSFET现已开始供应。除了D-PAK、I-PAK和SO-8封装之外，单个N通道器件也可在高量产时实现优化，采用PQFN 5mm×6mm和3mm×3mm封装，而双N通道器件则采用SO-8封装。新器件符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)，可以不含卤素。

    产品的基本规格如下：

单个N通道

双N通道

    新器件现已开始供应。产品详细数据可以浏览IR网页www.irf.com。

    IR简介

    国际整流器公司(简称IR，纽约证交所代号IRF)是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗(电机是全球最大耗能设备)，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

    IR成立于1947年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR全球网站：www.irf.com，亚洲网站：www.irf-asia.com，中国网站：www.irf.com.cn。