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| 新闻ID号： | 21300 | 无标题图片 | |
| 资讯类型： | 新品速递 | ||
| 所属类别： | 电源IC； 电池/蓄电池 | ||
| 关 键 字： | 飞兆半导体/二极管器件/FDFMA2P859T | ||
| 内容描述： | 日前，飞兆半导体公司宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T。 | ||
| 发布时间： | 2009/11/24 14:00:46 | ||
| 更新时间： | 2009/11/26 17:48:59 | ||
| 审核情况： | 已审核开通[2009/11/24 14:00:46] | ||
| 浏览次数： | 共 1574 人/次 | ||
| 新闻来源： | EDN电子设计技术 | ||
| 链 接： | ～ | ||
| 责任编辑： | ～ | ||
| 发 布 者： | 电源在线 | ||
| 图片文件： |
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| 管理操作： | 修改 设置为未审核 发布新闻资讯 | ||
| 内 容： |
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日前，