您的位置:首页>>管理中心>>行业资讯>>新闻资讯正文
 
Diodes推出DIOFET器件提升负载点转换器的效率及可靠性
新闻ID号:  23777 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  功率器件
关 键 字:  DIOFET器件/转换器/MOSFET
内容描述:  Diodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品,将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置,有助于提升效率,同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。
发布时间:  2010/10/29 14:02:06
更新时间:  2010/10/29 14:02:06
审核情况:  已审核开通[2010/10/29 14:02:06]
浏览次数:  共 778 人/次
新闻来源:  ~
链    接:  ~
责任编辑:  ~
发 布 者:  电源在线
图片文件
原文件名:~
保存文件:~
路径文件:~
管理操作:  修改  设置为未审核    发布新闻资讯
内    容:

    Diodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品,将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置,有助于提升效率,同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。

    在10V 的VGS电压下,DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分别仅为10mΩ 及8.5mΩ。这些器件能把通常情况下与低侧MOSFET相关的导通损耗降至最低。与此同时,DIOFET集成的肖特基二极管正向电压比同类MOSFET或肖特基二极管低25%,比典型MOSFET的本征体二极管低48%,从而最大限度地降低了开关损耗,提高了效率。DIOFET 集成的肖特基二极管拥有低反向恢复电荷,以及更软性的反向恢复特性,能进一步降低体二极管的开关损耗。

    在基准测试中,DIOFET 的工作温度与其它竞争解决方案相比低5%。MOSFET 结温每降低10℃,DIOFET的永久可靠性便增加一倍。较低的DIOFET器件工作温度大大提升了负载点转换器的可靠性。

    Diodes简介

    Diodes Incorporated是一家标普低市值600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 及罗素3000指数公司,是活跃于广泛的分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商,服务于消费电子、计算机、通信、工业及汽车等不同市场。Diodes的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器,涵盖LED驱动器、DC-DC开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件,以及USB电源开关、负载开关、电压监控器及电机控制器等特殊功能器件。

    Diodes公司总部、物流中心及美国销售办事处位于美国德克萨斯州达拉斯市,在达拉斯、加利福尼亚州圣荷西、台北、英国曼切斯特和德国诺伊豪斯设有设计、市场及工程中心;在密苏里州堪萨斯城及曼切斯特设有晶圆制造厂;在上海及德国诺伊豪斯分别设有两座和一座制造厂,另在成都设有合资工厂;在台北、香港及曼切斯特设有工程、销售、仓储及物流办事处;并在世界各地设有销售及支持办事处。■