|
|||
| 新闻ID号： | 23846 | 无标题图片 | |
| 资讯类型： | 新品速递 | ||
| 所属类别： | 功率器件 | ||
| 关 键 字： | 功率MOSFET/导通电阻/逆变器 | ||
| 内容描述： | 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-247封装。 | ||
| 发布时间： | 2010/11/5 16:05:41 | ||
| 更新时间： | 2010/11/5 16:05:41 | ||
| 审核情况： | 已审核开通[2010/11/5 16:05:41] | ||
| 浏览次数： | 共 2798 人/次 | ||
| 新闻来源： | ～ | ||
| 链 接： | ～ | ||
| 责任编辑： | ～ | ||
| 发 布 者： | 电源在线 | ||
| 图片文件： |
|
||
|
|||
|
|||
| 管理操作： | 修改 设置为未审核 发布新闻资讯 | ||
| 内 容： |
|
||
