近日，全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技术，可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。 

    IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件，比上一代器件减少了导通电阻 (RDS (on) ) 和栅极电荷 (Qg) ，使其效率大幅提高2%。此外，这些器件具有超低栅极电阻 (Rg) ，通过把DC-DC转换器的开关损耗降至最低来进一步提高效率。

    IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新款IRF6811和IRF6894芯片组利用IR的DirectFET 封装技术，并采用IR的新一代硅技术来优化关键的 MOSFET参数，为下一代计算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空间小的最佳解决方案。”

    IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷，将传导和开关损耗降到最低。IRF6894还设有集成式单片肖特基二极管，可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET与上一代器件的占位面积兼容。

产品规格

器件编号	BVDSS (V)	10V时的 典型导通电阻(mΩ)	4.5V时的 典型导通电阻(mΩ)	VGS (V)	典型QG  (nC)	典型QGD (nC)	概要代码
IRF6811SPBF	25	2.8	4.1	+/-16	11	4.2	SQ
IRF6894MPBF	25	0.9	1.3	+/-16	29	10	MX

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