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植入式医疗应用的功率MOSFET系列新器件
新闻ID号:  25277 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  功率器件
关 键 字:  功率MOSFET/器件/导通电阻
内容描述:  日前,Vishay 宣布将为业内首个用于植入式医疗应用的功率MOSFET系列增添两款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。这些MOSFET采用强化的工艺流程制造,对制造工艺进行了严格控制。
发布时间:  2011/7/29 17:17:26
更新时间:  2011/7/29 17:17:26
审核情况:  已审核开通[2011/7/29 17:17:26]
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发 布 者:  电源在线
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    日前,Vishay 宣布将为业内首个用于植入式医疗应用的功率MOSFET系列增添两款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。这些MOSFET采用强化的工艺流程制造,对制造工艺进行了严格控制。

    该器件是一款采用PowerPAK® SC-70 (SMMA511DJ)封装的N沟道和P沟道12V MOSFET,及一款采用PowerPAK SC75 (SMMB912DK)封装的20V双N沟道MOSFET。通过对每个批次的产品施加强化的质量控制阀:统计箱限制(SBL)、良品率限制(SYL),对晶圆和器件封装进行部件平均测试(PAT)控制,以及对所有批次的晶圆进行一致可靠性测试,确保新MOSFET获得区别于商用器件的高质量和高可靠性。严格的SMM医疗MOSFET工艺流程还包括0.04%的合格质量标准(AQL)。

    新MOSFET的应用将包括送药系统、除颤器、起搏器、助听器和其他植入式设备中的负载切换。器件的小封装尺寸(SMMA511DJ为2mmx2mm,SMMB912DK为1.6mmx1.6mm)将有助于节省小型医疗设备中的空间,同时其低至0.4Ω的超低导通电阻能够降低传导损耗,从而延长电池寿命。

    不断扩大的Vishay Siliconix SMM医疗MOSFET系列包括采用各种封装尺寸的N沟道、P沟道,以及N沟道和P沟道成对配置的器件。<