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新型MOSFET在升压变换器中减少开关损耗的解决方案
新闻ID号:  25803 无标题图片
资讯类型:  解决方案
所属类别:  变压器
关 键 字:  MOSFET/开关损耗/升压变换器
内容描述:  升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率,设计者必须选择低开关损耗的MOSFET。在升压变换器中,利用QFET新型MOSFET能够有效地减少系统损耗。
发布时间:  2011/10/11 15:37:47
更新时间:  2011/10/11 15:37:47
审核情况:  已审核开通[2011/10/11 15:37:47]
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发 布 者:  电源在线
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    摘要:升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率,设计者必须选择低开关损耗的MOSFET。在升压变换器中,利用QFET新型MOSFET能够有效地减少系统损耗。

    1 引言

    在开关电源设计中,效率是一个关键性的参数。输入和输出滤波电容器、变压器磁芯的几何图形与特性及开关器件等,都会影响系统的效率。为减小滤波电容和磁性元件的尺寸,开关电源的频率在不断提高。因此,功率器件的开关损耗在整个系统损耗中占有更大的比重。选用低开关损耗的MOSFET,是提高SMPS效率的重要环节。快捷(又名仙童)半导体新发明的QFET系列,是新一代功率MOSFET,用其可以获得低开关损耗。本文回顾了升压型变换器的基本工作原理,作为QFET的一个应用实例,介绍了FQP10N20型QFET在70W彩色监视器升压变换器电源中作为开关使用的优点。

    2 升压变换器工作原理

    升压变换器是将一个DC输入电压变换成比输入电压高的并经过调整的DC输出电压的电源变换器,其基本电路如图1所示。当开关Q1导通时,输入DC电压Vi施加到电感器L的两端,二极管D因反偏而截止,L储存来自输入电源的能量。当开关Q1关断时,L中的储能使D正偏而导通,并将能量传输到输出电容C和负载R中。

图1升压变换器基本电路

    图2为图1电路的相关波形。稳态时在一个开关周期内,电感器L储存的能量与释放的能量保持平衡,用伏秒积表示如下:

    ViDTs=(VO-Vi)(1-D)Ts(1)

    式中Ts为开关周期,D为开关占空比。从式(1)可得:

   

    由于D<1, 故 VO>Vi。L两端的电压为:

    当开关Q1开通时,根据公式(3),电感电流的变化可用式(4)计算:{$page$}

图2 升压变换器相关波形

图3 70W、80kHz彩色监视器用升压变换器电路

    电感电流平均值可表示为:

    整个开关周期中的平均电流等于输出电流,即IO=Iav。根据式(5)可得:

    在电感电流连续模式中,IO>()DTs。为保持较低的电感峰值电流和较小的输出纹波电压,按照惯例,推荐ΔiL=0.3io。于是式(4)可改写为:

图4 通态电阻比较 {$page$}

图5 关断波形比较

图6 关断损耗比较

图7 栅极电压Vgs关断波形

    当Q1导通时,输出电容放电,峰耗,提高效率,主要途径是:

    (1)选用低开关损耗的MOSFET;

    (2)选用低等效串联电阻(ESR)的电容器C1和C5;

    (3)选用低等效电阻的电感线圈L1;

    (4)选用低导通电阻和低通态电压的二极管D1。

    关于L1和输出电容C5数值选择可根据式(7)和式(9)求出。输出电流IO=PO/VO=70W/120V≈0.6A,开关周期Ts=1/fs=1/80kHz=12.5μs,Vi=50V,设最大占空比Dmax=0.73,代入式(7)可得:

   

    =2.5×10-3H=2.5mH

    纹波电压Δvo=120V×1%=1.2V,VO=120V,DTs=9.1μs,设负载电阻R=200Ω,代入式(9)可得:

   

    考虑在输出负载瞬时变化时能安全运行,可选用500μF/200V低ESR的电容器。

    选用低损耗的MOSFET是提高升压变换器效率的关键一环。目前快捷公司推出的新一代MOSFET—QFET系列产品,则具有低损耗特征。<