|
|||
| 新闻ID号： | 26445 | 无标题图片 | |
| 资讯类型： | 新品速递 | ||
| 所属类别： | 功率器件 | ||
| 关 键 字： | MOSFET/导通电阻/双极型器件 | ||
| 内容描述： | Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻（Rthj-a）为130ºC/W，能在持续状态下支持高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280ºC/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。 | ||
| 发布时间： | 2011/12/31 10:59:08 | ||
| 更新时间： | 2011/12/31 10:59:08 | ||
| 审核情况： | 已审核开通[2011/12/31 10:59:08] | ||
| 浏览次数： | 共 3693 人/次 | ||
| 新闻来源： | ～ | ||
| 链 接： | ～ | ||
| 责任编辑： | ～ | ||
| 发 布 者： | 电源在线 | ||
| 图片文件： |
|
||
|
|||
|
|||
| 管理操作： | 修改 设置为未审核 发布新闻资讯 | ||
| 内 容： |
|
||
