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安森美半导体新型ESD抑制器件采用低高度封装,超越便携式产品行业最严格的ESD保护标准(图)
新闻ID号:  2773 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  元器件 其他
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发布时间:  2005/8/6 10:40:21
更新时间:  2005/8/6 10:40:21
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  2005年8月5日– 作为全球领先的分立器件供应商,安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出 µESD (微型ESD) 双串联高性能微型封装静电放电(ESD)保护二极管。µESD双串联系列产品专为为电压敏感元件提供双线保护而设计,适于需要最小板面积和低高度的应用,如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。

  安森美半导体小信号部市场营销主管Gary Straker表示,“对致力于满足严格的ESD标准的设计人员而言,安森美半导体的µESD双器件提供了替代常用多层可变电阻(MLV)的令人注目的方案。µESD双器件可以在小于两个0402 MLV的板面积内保护两条线路,同时具有多种性能优势,包括钳制电压较低、漏电较少、响应时间较短,且能够承受多次ESD冲击,而在电气性能上无偏移。”



  这些器件设计采用目前市场上最小的3引脚塑料封装来获取最佳的ESD抑制性能。µESD双串联可在不足一纳秒内钳制30千伏(kV)ESD瞬流(符合IEC61000-4-2标准),确保电压敏感元件受到保护。这些器件可将ESD脉冲电压钳制至低于7伏特(V),以保护最敏感的系统并减小对电路功能的干扰。

  µESD双串联系列的另一特性在于采用超小的SOT-723 封装。由于其外形尺寸仅为1.2 mm x 1.2 mm,因此对板面积受限的设计人员而言是理想的选择。由于此封装的高度仅有0.5 mm,设计人员因此能够在不影响功能的同时,实现高度的最小化。这种串联将双线保护集成入一个封装中,可以进一步减小所需的板面积和系统元件数量,从而简化了封装工艺。

  这些新型ESD保护器件关断状态的漏电电流超低,仅为0.05 毫安(µA),提高电路效率和电池使用寿命,非常适于手持式产品应用。它们的电容较小,仅为35 皮法(pF),适于为数据速率高达10 Mb/s的数据线提供保护。

  安森美半导体小信号部总经理Mamoon Rashid说,“由于便携式电子应用的用户接口数量增加,而尺寸减小,因而它们越来越容易受到偶然ESD损害的影响。µESD双串联系列产品是安森美半导体与日增长的器件系列中的新成员,专为钳制 ESD 瞬流而设计。安森美半导体通过先进的硅设计,并致力于推动封装外壳发展,公司将持续为这一具有挑战性的应用领域开发高性能的解决方案。”